[实用新型]单晶炉的热场结构以及单晶炉

说明书

本实用新型公开了单晶炉的热场结构和单晶炉，其中，单晶炉的热场结构包括：石墨承盘；碳碳坩埚，所述碳碳坩埚设置在所述石墨承盘上；保护部件，所述保护部件设置在所述碳碳坩埚底表面和/或部分侧面上，且适于防止碳碳坩埚受SiOx侵蚀。由此，通过在碳碳坩埚200底表面和/或部分侧面上设置保护部件300，不仅可以对碳碳坩埚200的底表面进行保护，减少碳碳坩埚200上裸露在外碳碳复合材受到SiOx的侵蚀破坏，延长碳碳坩埚的使用寿命，减少更换次数，还可以达到填充石墨承盘100与碳碳坩埚200之间缝隙的效果，进而对石墨承盘100也起到的保护作用。

技术领域

本实用新型属于单晶硅领域，具体而言，本实用新型属于单晶炉的热场结构以及单晶炉。

背景技术

随着长晶炉使用二次或多次加料，单炉生长时间加长，石墨材长时间与气化Si反应，一部分生成SiOx，另一部分形成SiC，但大部分气化Si则随着真空系统被排出，形成SiOx部分，SiOx+C→SiO+CO2，SiOx会侵蚀石墨材质零件。此外，另一部分形成的SiC会沉积下来，造成石墨材质异常堆积面，由于石墨与SiC的热膨胀系数不同，影响到正常零件的紧密组合。随着影响缝隙变化加剧，可能造成零件无法组装，更进一部影响到周边相配合零组件。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种能够有效降低碳碳坩埚受SiO_x侵蚀的单晶炉的热场结构和单晶炉。

根据本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种单晶炉的热场结构，根据本实用新型的实施例，包括：

石墨承盘；

碳碳坩埚，所述碳碳坩埚设置在所述石墨承盘上；

保护部件，所述保护部件设置在所述碳碳坩埚底表面和/或部分侧面上，且适于防止碳碳坩埚受SiOx侵蚀。

由此，通过在碳碳坩埚200底表面和/或一部侧面上设置保护部件300，不仅可以对碳碳坩埚200的底表面进行保护，减少碳碳坩埚200上裸露在外碳碳复合材受到SiOx的侵蚀破坏，延长碳碳坩埚的使用寿命，减少更换次数。同时在碳碳坩埚200底表面和/或部分侧面上设置保护部件300，还可以达到填充石墨承盘100与碳碳坩埚200之间缝隙的效果，进而对石墨承盘100也起到的保护作用。

另外，根据本实用新型上述实施例的单晶炉的热场结构还可以具有如下附加的技术特征：

在本实用新型中，所述保护部件包括：石墨承盘台阶、石墨纸和涂层中的至少一种。

在本实用新型中，所述石墨承盘台阶设置在所述石墨承盘上，且向上延伸包裹所述碳碳坩埚的底端。

在本实用新型中，所述石墨承盘台阶的外表面形成为斜面。

在本实用新型中，所述石墨阶梯台阶的高度为1-20mm，宽度为1～10mm

在本实用新型中，所述石墨纸覆盖在所述碳碳坩埚的底表面且延伸至所述碳碳坩埚的侧面，所述石墨纸的外沿距离所述碳碳坩埚的底表面100～400mm。

在本实用新型中，所述石墨纸的厚度为0.1mm-10mm。

在本实用新型中，所述石墨纸的灰度为1-100ppm。

在本实用新型中，所述涂层形成在所述碳碳坩埚的底表面且延伸至所述碳碳坩埚的侧面，所述涂层的外沿距离所述碳碳坩埚的底表面1-30mm。

在本实用新型中，所述涂层包括两层，其中，第一层所述涂层形成在所述碳碳坩埚的底表面且延伸至所述碳碳坩埚的侧面，第一层所述涂层的外沿距离所述碳碳坩埚的底表面1-30mm；第二层所述涂层形成在所述石墨承盘的上表面且延伸至所述石墨承盘的侧面，第二层所述涂层的外沿距离所述石墨承盘的上表面1-10mm。