[实用新型]单晶炉的热场结构以及单晶炉

权利要求书

1.一种单晶炉的热场结构，其特征在于，包括：

石墨承盘；

碳碳坩埚，所述碳碳坩埚设置在所述石墨承盘上；

保护部件，所述保护部件设置在所述碳碳坩埚底表面和/或部分侧面上，且适于防止碳碳坩埚受SiOx侵蚀。

2.根据权利要求1所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：石墨承盘台阶、石墨纸和涂层中的至少一种。

3.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨承盘台阶设置在所述石墨承盘上，且向上延伸包裹所述碳碳坩埚的底端。

4.根据权利要求3所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨承盘台阶的外表面形成为向下向外的斜面。

5.根据权利要求4所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨承盘台阶的高度为1-20mm，宽度为1-10mm。

6.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨纸覆盖在所述碳碳坩埚的底表面且延伸至所述碳碳坩埚的侧面，所述石墨纸的外沿距离所述碳碳坩埚的底表面100～400mm。

7.根据权利要求6所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨纸的厚度为0.1mm-10mm。

8.根据权利要求7所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述石墨纸的灰度为1-100ppm。

9.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述涂层形成在所述碳碳坩埚的底表面且延伸至所述碳碳坩埚的侧面，所述涂层的外沿距离所述碳碳坩埚的底表面1-30mm。

10.根据权利要求9所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述涂层包括两层，其中，第一层所述涂层形成在所述碳碳坩埚的底表面且延伸至所述碳碳坩埚的侧面，第一层所述涂层的外沿距离所述碳碳坩埚的底表面1-30mm；第二层所述涂层形成在所述石墨承盘的上表面且延伸至所述石墨承盘的侧面，第二层所述涂层的外沿距离所述石墨承盘的上表面1-10mm。

11.根据权利要求9或10所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述涂层的厚度为1-200um。

12.根据权利要求11所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述涂层为碳化硅涂层或石墨烯涂层。

13.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：所述石墨纸和所述涂层，所述石墨纸设置在所涂层的外表面上。

14.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：所述石墨承盘台阶和所述涂层，所述石墨承盘台阶包裹在所述涂层的外表面上。

15.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：所述石墨承盘台阶和所述石墨纸，所述石墨承盘台阶包裹在所述石墨纸的外表面上。

16.根据权利要求2所述单晶炉的热场结构，其特征在于，所述保护部件包括：石墨承盘台阶、石墨纸和涂层，所述石墨纸设置在所述涂层的外表面上，所述石墨承盘台阶包裹在所述石墨纸的外表面上。

17.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉具有权利要求1-16任一项所述的单晶炉的热场结构。