[实用新型]减少薄膜晶格缺陷的装置有效
申请号: | 201822208580.X | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN209328933U | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 范继良 | 申请(专利权)人: | 黄剑鸣 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;王志 |
地址: | 中国香港新界大埔*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物镜 直线往复运动 反射镜 脉冲式激光 发射器 薄膜晶格 硅片 脉冲激光照射 本实用新型 反射镜设置 薄膜原子 表面缺陷 滑动设置 转换效率 悬挂键 减小 正对 沉积 薄膜 聚焦 扫描 电池 | ||
本实用新型公开一种减少薄膜晶格缺陷的装置,其包括机架、脉冲式激光发射器、X轴移动平台、Y轴移动平台、反射镜及物镜,X、Y轴移动平台呈水平的滑动设置于机架上,X轴移动平台可沿X轴方向进行直线往复运动,Y轴移动平台可沿Y轴方向进行直线往复运动,反射镜及物镜连接于Y轴移动平台上,脉冲式激光发射器沿Y轴方向正对反射镜设置,物镜位于反射镜的正下方,物镜位于X轴移动平台的上方;借由X、Y轴移动平台的直线往复运动,将使得硅片逐一的被聚焦后的脉冲激光照射扫描,使硅片上沉积的薄膜原子或者分子获得能动,使界面中更多的悬挂键被消除,从而减小薄膜的表面缺陷,使得电池的转换效率得到显著提升。
技术领域
本实用新型涉及一种非晶硅薄膜处理装置,尤其涉及一种用于减少非晶硅薄膜内晶格缺陷的装置。
背景技术
在HIT异质结太阳能电池的生产制程中,非晶硅薄膜被沉积到硅片的界面悬挂键进行钝化(悬挂键是化学键,一般晶体因晶格在表面处突然终止,在表面的最外层的每个原子将有一个未配对的电子,即有一个未饱和的键,这个键称为悬挂键),消除载流子的复合中心,提升电池的转换效率。然而,在一切薄膜的真空沉积过程中,沉积原子或者分子均会面对一个急冷的过程,使原子或者分子失去动能,无法透过表面迁移实现形成较完美的晶格及非晶格,从而使得薄膜的表面出现表面缺陷(即,造成表面缺陷),降低了钝化的效率。
由上可知,如果在沉积后可以为薄膜原子或者分子提供一定的动能,使它们具备一定的表面迁移能力,使得原子或者分子因具备一定的能动,而能透过表面迁移实现形成较完美的晶格及非晶格,使得界面中更多的悬挂键被消除,从而减小薄膜的表面缺陷,使得电池的转换效率提升。
除此之外,透过让ITO层或者AZO层的原子或者分子得到一定的动能,也可促进相关分子透过表面迁移和渗透实现更低的界面电阻,帮助电池转换效率的提升。在传统的生产工艺中,一般采用整片电池或者硅片加热退火的方式来提升电池的转换效率,这种采用退火的方式来提升电池的转换效率,极为的耗能,并且长期的高温会改变掺杂层的物理特性,工艺得益与损失比例不高,对电池的转换效率的提升不是很明显。
因此,亟需一种能有效减小薄膜晶格缺陷的装置,使得电池的转换效率得到显著的提升。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能有效减小薄膜晶格缺陷的装置,该装置使得电池的转换效率得到显著的提升。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种减少薄膜晶格缺陷的装置,其包括机架、脉冲式激光发射器、X轴移动平台、Y轴移动平台、反射镜及物镜,所述脉冲式激光发射器设置于所述机架上,X轴移动平台呈水平的滑动设置于所述机架上,所述X轴移动平台借由一第一直线往复驱动机构驱动其可沿X轴方向进行直线往复运动,所述Y轴移动平台呈水平的滑动设置于所述机架上,所述Y轴移动平台借由一第二直线往复驱动机构驱动其可沿Y轴方向进行直线往复运动,所述X轴移动平台位于所述Y轴移动平台下方,所述X轴方向与所述Y轴方向相互垂直,所述反射镜及所述物镜连接于所述Y轴移动平台上,所述脉冲式激光发射器沿Y轴方向正对所述反射镜设置且二者位于同一水平面,所述物镜位于所述反射镜的正下方,所述物镜位于所述X轴移动平台的上方,所述脉冲式激光发射器发射出的脉冲激光经所述反射镜反射后射入所述物镜中,射入所述物镜的脉冲激光从所述物镜中折射后进行聚焦。
较佳地,本实用新型减少薄膜晶格缺陷的装置还包括X轴导轨,所述X轴导轨沿所述X轴方向设置于所述机架上,所述X轴移动平台呈滑动的设置于所述X轴导轨上。
较佳地,本实用新型减少薄膜晶格缺陷的装置还包括Y轴导轨,所述Y轴导轨沿所述Y轴方向设置于所述机架上,所述Y轴移动平台呈滑动的设置于所述Y轴导轨上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的