[实用新型]非接触式高度补偿装置有效
申请号: | 201822205860.5 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN209016042U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 邱鸿毅;施心星;张文;李斌 | 申请(专利权)人: | 苏州镭明激光科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/68;H01L21/66 |
代理公司: | 苏州唯亚智冠知识产权代理有限公司 32289 | 代理人: | 高玉蓉 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调节装置 加工平台 多轴 定位支架 高度补偿装置 非接触式 引导组件 传感器 衔接 数据处理装置 双向驱动装置 本实用新型 高精度调节 工作端 三轴 干预 检测 | ||
本实用新型涉及一种非接触式高度补偿装置,包括有衔接定位支架,衔接定位支架上安装有Z轴引导组件,Z轴引导组件上设置有多轴调节装置,多轴调节装置上安装有加工平台,加工平台上安装有传感器,传感器上设置有数据处理装置,衔接定位支架上安装有Z轴驱动装置,Z轴驱动装置的工作端与多轴调节装置相连,多轴调节装置为XY轴双向驱动装置,包括有X轴导轨,X轴导轨上安装有X轴滑块,X轴滑块上连接有X轴驱动装置,X轴滑块上安装有Y轴导轨,加工平台的底部与Y轴导轨相连,加工平台上连接有Y轴驱动装置。由此,能够实现三轴的高精度调节,无需人工进行检测干预。
技术领域
本实用新型涉及一种补偿装置,尤其涉及一种非接触式高度补偿装置。
背景技术
随着半导体芯片的逐步扩大,目前主流晶圆尺寸已经从8寸扩大到了12寸,随着尺寸变大切割道变窄,单片晶圆获得的晶粒也逐步变多。随之会带来一些加工问题,大幅面的芯片加工很难控制z轴方向的高度差,高度差的产生使得产品加工效果不稳定,从来带来不良。针对目前半导体领域对切深的要求越来越严格的情况下,各个厂家产品本身的平面度均有一定的差异,对划切设备中的切深一致性提出更高的要求。如硅切割中焦点偏差1UM,切深差异接近4UM,因此一种非接触式激光实时测量装置就具有非常重要的意义。
有鉴于上述的缺陷,本设计人,积极加以研究创新,以期创设一种非接触式高度补偿装置,使其更具有产业上的利用价值。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型的目的是提供一种非接触式高度补偿装置。
本实用新型的非接触式高度补偿装置,包括有衔接定位支架,其中:所述衔接定位支架上安装有Z轴引导组件,所述Z轴引导组件上设置有多轴调节装置,所述多轴调节装置上安装有加工平台,所述加工平台上安装有传感器,所述传感器上设置有数据处理装置,所述衔接定位支架上安装有Z轴驱动装置,所述Z轴驱动装置的工作端与多轴调节装置相连,多轴调节装置为XY轴双向驱动装置,包括有X轴导轨,所述X轴导轨上安装有X轴滑块,所述X轴滑块上连接有X轴驱动装置,所述X轴滑块上安装有Y轴导轨,所述加工平台的底部与Y轴导轨相连,所述加工平台上连接有Y轴驱动装置。
进一步地,上述的非接触式高度补偿装置,其中,所述Z轴引导组件为两条镜像分布的Z轴导轨,所述Z轴导轨上设置有定位孔,通过定位螺钉穿过定位孔后与衔接定位支架相连。
更进一步地,上述的非接触式高度补偿装置,其中,所述Z轴驱动装置、X轴驱动装置、Y轴驱动装置均为微动电机。
更进一步地,上述的非接触式高度补偿装置,其中,所述传感器为激光位移传感器。
更进一步地,上述的非接触式高度补偿装置,其中,所述加工平台为大理石横板,所述大理石横板上分布有若干衔接孔。
更进一步地,上述的非接触式高度补偿装置,其中,所述数据处理装置包括有装置本体,所述装置本体内设置有MCU或是单片机,所述MCU或是单片机上连接有外连通讯组件。
更进一步地,上述的非接触式高度补偿装置,其中,所述外连通讯组件为I/O接口,或是为4G无线传输模块。
再进一步地,上述的非接触式高度补偿装置,其中,所述数据处理装置上连接有状态指示组件,所述状态指示组件为三色灯。
借由上述方案,本实用新型至少具有以下优点:
1、能够实现三轴的高精度调节,无需人工进行检测干预。
2、不影响加工效率的情况下,实时测量补偿芯片平面度,达到切深一致的效果。
3、整体构造简单,可以配合目前常规的半导体芯片切割设备来使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造