[实用新型]基底传输装置有效
申请号: | 201822173873.9 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN209150070U | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 朱俊宇;唐文力;陶洪建;吴钱忠;祝玥华;李田田 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 存储模块 第二传感器 第一传感器 传输装置 本实用新型 控制模块 升降模块 竖直方向移动 传感器模块 机械手模块 触发检测 等高设置 对称设置 方向设置 基底状态 自动标定 故障率 标定 触发 竖直 对准 驱动 响应 检测 | ||
1.一种基底传输装置,其特征在于,包括存储模块、升降模块、控制模块及对称设置的第一传感器模块和第二传感器模块,所述升降模块连接所述存储模块以驱动所述存储模块沿竖直方向移动,所述存储模块内沿竖直方向设置有若干基底,所述第一传感器模块及所述第二传感器模块等高设置并在对准所述基底时触发检测动作,所述控制模块通过获取所述第一传感器模块及所述第二传感器模块之间的触发间隔以判断出所述基底的状态。
2.如权利要求1所述的基底传输装置,其特征在于,所述存储模块沿着竖直方向设置有若干组平行的基底槽,所述基底设置于所述基底槽内,所述基底的状态包括所述基底处于跨槽状态、叠片状态及正常状态。
3.如权利要求1所述的基底传输装置,其特征在于,所述基底传输装置还包括一固定框架,所述存储模块具有一用于拿取所述基底的取片口,所述第一传感器模块及所述第二传感器模块设置于所述取片口两侧的固定框架上且对准所述取片口。
4.如权利要求3所述的基底传输装置,其特征在于,所述第一传感器模块及所述第二传感器模块均为漫反射激光传感器。
5.如权利要求3所述的基底传输装置,其特征在于,所述第一传感器模块及所述第二传感器模块均为镜面反射激光传感器,且所述存储模块内还设置有两个对称的反射板,两个所述反射板分别与所述第一传感器模块及所述第二传感器模块对应。
6.如权利要求3所述的基底传输装置,其特征在于,所述基底传输装置还包括第三传感器模块及用于拿取所述基底的机械手模块,所述第三传感器模块设置于所述固定框架上,所述机械手模块上设置有第一标定物,所述第三传感器模块对准所述第一标定物时触发检测动作,以检测出所述机械手模块的平面运动范围。
7.如权利要求6所述的基底传输装置,其特征在于,所述第三传感器模块为漫反射激光传感器,所述第一标定物为标定孔。
8.如权利要求6所述的基底传输装置,其特征在于,所述第三传感器模块为镜面反射激光传感器,所述第一标定物为第一反射镜。
9.如权利要求6所述的基底传输装置,其特征在于,所述机械手模块的任一侧设置有第二标定物,所述第一传感器模块或所述第二传感器模块对准所述第二标定物时触发检测动作,以检测出所述机械手模块的竖直运动范围。
10.如权利要求9所述的基底传输装置,其特征在于,所述第一传感器模块或所述第二传感器模块为漫反射激光传感器时,所述第二标定物为V形槽;所述第一传感器模块或所述第二传感器模块为镜面反射激光传感器时,所述第二标定物为设置于所述V形槽内的第二反射镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造