[实用新型]一种芯片的扇出型封装结构有效

专利信息
申请号: 201822169472.6 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN209418486U 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 任玉龙;孙鹏 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/522
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 李博洋
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 载片 芯片 第一表面 布线层 扇出型封装 隔离层 通孔 本实用新型 第二表面 工艺窗口 光刻工艺 晶圆翘曲 精度公差 芯片贴装 引线工艺 预设区域 玻璃基 电连接 引脚层 正表面 偏移 互连 硅基 晶圆 正装 制程 连通 覆盖
【说明书】:

实用新型公开了一种芯片的扇出型封装结构,包括:载片,具有第一表面及第二表面,第一表面上形成有第一布线层,第一表面上的预设区域设置有至少之一正装的芯片;引线,连接在第一布线层和芯片的正表面之间;隔离层,覆盖在载片的第一表面与芯片上,具有连通至第一布线层的通孔;引脚层设置在隔离层的表面,通过通孔与第一布线层电连接,由于引线工艺是预先将线路做好,通过引线将芯片和载片进行互连,后续光刻工艺可使用载片标记,从而避免芯片贴装精度公差造成的偏移影响,工艺制程简单。同时载片采用硅基/玻璃基可以提高重组晶圆刚度,降低晶圆翘曲,增加工艺窗口和稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种芯片的扇出型封装结构。

背景技术

现有技术中的芯片封装工艺中,通常需要将芯片贴装在载片上,并且需要采用光刻显影方式将芯片焊盘外露,以在封装外制作引脚与芯片焊盘电连接,芯片的焊盘往往较小,光刻程序需要较高的精度,然而在芯片贴装及填胶等工艺易产生焊盘的相对偏移。光刻显影只能通过增加线宽线间距来弥补其偏移值,从而对芯片尺寸等产生影响。

实用新型内容

因此,本实用新型提供一种芯片的扇出型封装结构,克服现有技术在封装过程中芯片贴装及填胶等工艺易形成的偏移的缺陷,产生不良影响的缺陷。

本实用新型实施例提供了一种芯片的扇出型封装结构,包括:载片,具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面,所述第一表面上形成有第一布线层,所述第一表面上的预设区域设置有至少之一正装的芯片;引线,连接在所述第一布线层和所述芯片的正表面之间;隔离层,覆盖在所述载片的第一表面与所述芯片上,具有连通至第一布线层的通孔;引脚层,设置在所述隔离层的表面,通过所述通孔与所述第一布线层电连接。

在一实施例中,所述引脚层包括:第二布线层,所述第二布线层形成在所述隔离层表面,通过所述通孔与所述第一布线层连通。

在一实施例中,所述引脚层还包括:引脚,扇出在所述第二布线层表面。

在一实施例中,所述预设区域上设有至少一个向第二表面延伸的凹槽;所述芯片贴装在所述凹槽中。

在一实施例中,所述凹槽的深度不小于所述芯片的厚度。

在一实施例中,所述预设区域与所述第一表面的其他区域在同一平面。在一实施例中,所述隔离层包括塑封层。

在一实施例中,所述塑封层填充入所述凹槽。

在一实施例中,所述塑封层为光敏性塑封层。

本实用新型技术方案,具有如下优点:

1、本实用新型提供了一种芯片的扇出型封装结构,包括:载片,具有第一表面及与第一表面相对立的第二表面,第一表面上形成有第一布线层,第一表面上设置有至少之一正装的芯片;引线,连接在第一布线层和芯片的正表面之间;隔离层,覆盖在载片的第一表面与所述芯片上,具有连通至第一布线层的通孔;引脚层,设置在隔离层的表面,通过通孔与第一布线层电连接。本实用新型提供的结构,由于引线工艺是预先将线路做好,通过引线将芯片和载片进行互连,后续光刻工艺可使用载片标记,从而避免芯片贴装精度公差造成的偏移影响,工艺制程简单。

2、本实用新型提供了一种芯片的扇出型封装结构,载片采用硅基/玻璃基可以提高重组晶圆刚度,降低晶圆翘曲,增加工艺窗口和稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的芯片的扇出型封装结构一个具体示例的结构图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822169472.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top