[实用新型]一种发光二极管芯片

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述第一凹槽内的N型半导体层上设有向所述衬底延伸的第二凹槽，所述第二凹槽在第一表面上的截面边缘位于所述第一凹槽在所述第一表面上的截面边缘内，所述第一表面为所述第一凹槽和所述第二凹槽的交界面；所述N型电极设置在所述第二凹槽内的N型半导体层上。本实用新型可以避免N型电极在焊线作业时受到挤压而增大占用区域的面积。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。芯片是LED的核心组件。

现有的LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、P型电极和N型电极，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

后续对LED芯片进行封装，一般会将焊线的两端分别与LED芯片(具体为LED芯片上的两个电极，即P型电极和N型电极)和封装支架(具体为封装支架上的两个电极引脚)连接。为了方便与焊线连接，LED芯片上的电极一般为圆柱体。而焊线作业时会从圆柱体的底面挤压电极，因此圆柱体的底面面积会在焊线作业之后会变大，进而导致电极的铺设区域变大。对于N型电极来说，这样很容易造成N型电极与凹槽的侧壁接触，导致LED芯片漏电，降低LED芯片的可靠性。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片，能够解决现有技术电极在焊线作业时受到挤压而变大，增加漏电的可能性，降低LED芯片的可靠性的问题。所述技术方案如下：

本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述第一凹槽内的N型半导体层上设有向所述衬底延伸的第二凹槽，所述第二凹槽在第一表面上的截面边缘位于所述第一凹槽在所述第一表面上的截面边缘内，所述第一表面为所述第一凹槽和所述第二凹槽的交界面；所述N型电极设置在所述第二凹槽内的N型半导体层上。

可选地，所述N型电极的高度与所述第二凹槽的深度之差为0.5μm～3μm。

优选地，所述第二凹槽的深度为0.5μm～3μm。

可选地，所述N型电极还设置在所述第二凹槽周围的N型半导体层上。

优选地，所述第二凹槽在所述第一表面上的截面边缘中各个点与所述N型电极在所述第一表面上的截面边缘之间的距离为定值。

更优选地，所述定值为1μm～5μm。

优选地，设置在所述第二凹槽周围的N型电极在所述第一表面上的截面面积为设置在所述第二凹槽内的N型电极在所述第一表面上的截面面积的5％～50％。

更优选地，所述第二凹槽在所述第一表面上的截面中两点之间的最大距离为30μm～100μm。

可选地，所述第二凹槽在所述第一表面上的截面为圆形。

可选地，所述N型电极在所述第一表面上的截面边缘与所述第一凹槽在所述第一表面上的截面边缘之间的距离为5μm～30μm。