[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201822140044.0 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN209374474U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;高艳龙;秦双娇;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一表面 衬底 发光二极管芯片 本实用新型 截面边缘 源层 半导体技术领域 依次层叠 交界面 延伸 焊线 挤压 芯片 占用 | ||
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；其特征在于，所述第一凹槽内的N型半导体层上设有向所述衬底延伸的第二凹槽，所述第二凹槽在第一表面上的截面边缘位于所述第一凹槽在所述第一表面上的截面边缘内，所述第一表面为所述第一凹槽和所述第二凹槽的交界面；所述N型电极设置在所述第二凹槽内的N型半导体层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述N型电极的高度与所述第二凹槽的深度之差为0.5μm～3μm。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽的深度为0.5μm～3μm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述N型电极还设置在所述第二凹槽周围的N型半导体层上。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽在所述第一表面上的截面边缘中各个点与所述N型电极在所述第一表面上的截面边缘之间的距离为定值。
6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述定值为1μm～5μm。
7.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，设置在所述第二凹槽周围的N型电极在所述第一表面上的截面面积为设置在所述第二凹槽内的N型电极在所述第一表面上的截面面积的5％～50％。
8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽在所述第一表面上的截面中两点之间的最大距离为30μm～100μm。
9.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽在所述第一表面上的截面为圆形。
10.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述N型电极在所述第一表面上的截面边缘与所述第一凹槽在所述第一表面上的截面边缘之间的距离为5μm～30μm。
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