[实用新型]一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置

说明书

本实用新型公开了一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于包括：炉体末端、上限位块、下限位块、上传输杆、下传输杆、纠偏装置支撑杆、纠偏装置支撑杆安装轴承和纠偏装置框架，所述炉体末端设置在氮气炉的两端，所述炉体末端上设置有纠偏装置支撑杆安装轴承，所述纠偏装置支撑杆安装轴承之间设置有纠偏装置支撑杆，所述纠偏装置支撑杆穿过纠偏装置框架，所述纠偏装置框架上设置有上传输杆和下传输杆，所述上传输杆上设置有多个上限位块，所述下传输杆上设置有多个下限位块。

技术领域

本实用新型属于DBC半导体热电基片生产技术领域，具体涉及一种用于烧结DBC半导体热电基片氮气炉的纠偏限位装置。

背景技术

随着功率电子器件的发展，电路板集成度与工作频率不断提高，散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料，是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料，其性能决定着模块的散热效率和可靠性。

DBC半导体热电基片是用DBC技术将铜片直接烧结到Al₂O₃或AlN陶瓷表面制成的一种复合覆铜陶瓷板，具有高导热性、高的电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点。Al₂O₃陶瓷片制作过程时，需要将陶瓷片基体冲压成单个陶瓷片坯片，并且将陶瓷片坯片两面的杂质去除掉，然后将陶瓷片坯体放置于推板炉中烧制，在推板炉中烧制之前还需要在氮气炉中进行预制，预制的时候需要通过传输带将陶瓷片进行传输，在传输的时候由于传输带的传输方式造成传输的方向出现偏差，导致磨损传输结构。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本实用新型的目的在于提供一种用于烧结DBC半导体热电基片氮气炉的纠偏限位装置。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种用于烧结DBC半导体热电基片氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于包括：炉体末端、上限位块、下限位块、上传输杆、下传输杆、纠偏装置支撑杆、纠偏装置支撑杆安装轴承和纠偏装置框架，所述炉体末端设置在氮气炉的两端，所述炉体末端上设置有纠偏装置支撑杆安装轴承，所述纠偏装置支撑杆安装轴承之间设置有纠偏装置支撑杆，所述纠偏装置支撑杆穿过纠偏装置框架，所述纠偏装置框架上设置有上传输杆和下传输杆，所述上传输杆上设置有多个上限位块，所述下传输杆上设置有多个下限位块。

所述上传输杆上设置有两个上限位块。

所述下传输杆上设置有两个下限位块。

所述上传输杆和下传输杆为梯形结构。

所述上传输杆和下传输杆的体型结构上的倾斜角范围为30-60度。

所述上传输杆和下传输杆的体型结构上的优选倾斜角为45度。

所述纠偏装置框架为耐高温耐火材料。

所述纠偏装置支撑杆安装轴承上设置有锁定机构。

所述纠偏装置支撑杆通过锁定机构固定在纠偏装置支撑杆安装轴承上。

本技术方案的有益效果如下：

1、本实用新型由于采用了限位理念，使得传输带在传输的时候不会直接磨损传输结构，增加了传输结构的使用时间。

2、本实用新型中，由于设置了限位块，使得传输带在传输的时候能够在发生偏移的情况下通过限位块进行校正，防止了传输方向发生偏差。

3、本实用新型由于采用了纠偏装置支撑杆安装轴承与纠偏装置框架，使得整个纠偏装置的强度大大增加，减少了破损率，节约了使用成本。

附图说明