[实用新型]一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置有效
| 申请号： | 201822134495.3 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN209926870U | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 田茂标;刘瑞生;杨海蓉;赵显萍;成彪;王燕;赵洪琼;曾洁;吴秀华;胡小容;任文彬 | 申请（专利权）人： | 成都万士达瓷业有限公司 |
| 主分类号： | F27D3/12 | 分类号： | F27D3/12;F27D3/00 |
| 代理公司： | 51211 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 苏丹;郑发志 |
| 地址： | 611332 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纠偏装置 传输杆 支撑杆安装 炉体末端 支撑杆 轴承 上限位块 下限位块 氮气炉 半导体基板 本实用新型 限位装置 烧结 纠偏 穿过 | ||
1.一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于包括：炉体末端（1）、上限位块（201）、下限位块（202）、上传输杆（301）、下传输杆（302）、纠偏装置支撑杆（4）、纠偏装置支撑杆安装轴承（5）和纠偏装置框架（6），所述炉体末端（1）设置在氮气炉的两端，所述炉体末端（1）上设置有纠偏装置支撑杆安装轴承（5），所述纠偏装置支撑杆安装轴承（5）之间设置有纠偏装置支撑杆（4），所述纠偏装置支撑杆（4）穿过纠偏装置框架（6），所述纠偏装置框架（6）上设置有上传输杆（301）和下传输杆（302），所述上传输杆（301）上设置有多个上限位块（201），所述下传输杆（302）上设置有多个下限位块（202）。
2.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于：所述上传输杆（301）上设置有两个上限位块（201）。
3.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于：所述下传输杆（302）上设置有两个下限位块（202）。
4.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于：所述上传输杆（301）和下传输杆（302）为梯形结构。
5.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于：所述上传输杆（301）和下传输杆（302）的体型结构上的倾斜角范围为30-60度。
6.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于：所述上传输杆（301）和下传输杆（302）的体型结构上的优选倾斜角为45度。
7.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于：所述纠偏装置框架（6）为耐高温耐火材料。
8.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于：所述纠偏装置支撑杆安装轴承（5）上设置有锁定机构。
9.根据权利要求1所述一种用于烧结DBC半导体基板氮气炉的纠偏限位装置，其特征在于：所述纠偏装置支撑杆（4）通过锁定机构固定在纠偏装置支撑杆安装轴承（5）上。
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