[实用新型]多芯同轴器件

说明书

本实用新型公开了一种多芯同轴器件，其包括：其内形成有安装空腔的外壳、组装于所述安装空腔内的连接组件、组装于所述安装空腔内的互连组件、组装于所述安装空腔内的多个薄膜芯片组件。组装于所述互连组件的互连导体的一端的弹性导体接触件与相邻的薄膜芯片组件中的薄膜芯片的一端电性相连，组装于所述互连组件的互连导体的另一端的弹性导体接触件与相邻的薄膜芯片组件中的薄膜芯片的一端相连，组装于所述连接组件的内导体的内端的弹性导体接触件与相邻的薄膜芯片组件中的薄膜芯片的一端相连，所述薄膜芯片为负载片和/或衰减片。

技术领域

本实用新型涉及到同轴器件领域，具体地说，特别涉及到一种高功率多芯同轴器件。

背景技术

同轴衰减器和同轴负载是微波元件的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中，同轴衰减器必须要满足系统的电气和机械性能要求，同时要在批量生产中做到工艺简单、合格率高、生产成本低。同轴衰减器是由连接器和衰减片组成，同轴负载片是由连接器和负载片组成。在本专利中，同轴衰减器和同轴负载被统称为同轴器件，负载片和衰减片被统称为薄膜芯片(也可简称芯片)。

目前的同轴器件的功率通常较小，比如2W，5W等，要开发大功率的同轴器件通常需要重新设计，成本高，开发周期长。

针对现有技术的缺陷，特别需要一种改进方案以解决现有技术的不足。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种多芯同轴器件，其通过多个薄膜芯片组件级联而成，这样可以缩短开发周期，并且组装方便，成本低。

为解决上述技术问题，本实用新型可以采用以下技术方案来实现：

一种多芯同轴器件，其包括：

外壳，其内形成有安装空腔；组装于所述安装空腔内的连接组件，其包括形成有导体空腔的连接套筒、位于所述导体空腔的中部的内导体、套设于所述内导体上并固持于所述连接套筒内壁上的绝缘套和组装于所述内导体的内端的弹性导体接触件；组装于所述安装空腔内的互连组件，其包括形成有导体空腔的互连套筒、位于所述导体空腔的中部的互连导体、套设于所述互连导体上并固持于所述互连套筒内壁上的绝缘套和组装于所述互连导体的两端的弹性导体接触件；组装于所述安装空腔内的多个薄膜芯片组件，其中每个薄膜芯片组件包括形成有芯片空腔的芯筒和安装于所述芯筒内的芯片空腔内的薄膜芯片，每两个相邻的薄膜芯片组件之间设置一个互连组件；其中，组装于所述互连组件的互连导体的一端的弹性导体接触件与相邻的薄膜芯片组件中的薄膜芯片的一端电性相连，组装于所述互连组件的互连导体的另一端的弹性导体接触件与相邻的薄膜芯片组件中的薄膜芯片的一端相连，组装于所述连接组件的内导体的内端的弹性导体接触件与相邻的薄膜芯片组件中的薄膜芯片的一端相连，所述薄膜芯片为负载片和/或衰减片。

在一个优选的实施例中，所述多芯同轴器件为多芯同轴衰减器，所述连接组件为两个，其中一个连接组件组装于所述安装空腔的一端，另一个连接组件组装于所述安装空腔的另一端，所述互连组件和所述薄膜芯片组件安装于两个连接组件之间，所述薄膜芯片均为衰减片，所述多个薄膜芯片组件的增益的绝对值按照在所述安装空腔内的位置顺序从信号输入端至信号输出端依次增加。

在一个优选的实施例中，所述多芯同轴器件为多芯同轴负载，所述连接组件为一个，其中所述连接组件组装于所述安装空腔的一端；距离所述连接组件最远的薄膜芯片为负载片，其余薄膜芯片为衰减片，所述多个薄膜芯片组件的增益的绝对值按照所述连接组件的位置顺序从靠近所述连接组件到远离所述连接组件依次增加。

在一个优选的实施例中，所述多芯同轴器件还包括有组装于所述安装空腔的另一端的负载堵头。

在一个优选的实施例中，所述芯筒的筒壁上设置有两个对应的卡槽，所述薄膜芯片的两侧边插入并固持与所述卡槽内。所述衰减片的两侧边焊接于所述卡槽内。