[实用新型]多芯同轴器件

权利要求书

1.一种多芯同轴器件，其特征在于：其包括：

外壳，其内形成有安装空腔；

组装于所述安装空腔内的连接组件，其包括形成有导体空腔的连接套筒、位于所述导体空腔的中部的内导体、套设于所述内导体上并固持于所述连接套筒内壁上的绝缘套和组装于所述内导体的内端的弹性导体接触件；

组装于所述安装空腔内的互连组件，其包括形成有导体空腔的互连套筒、位于所述导体空腔的中部的互连导体、套设于所述互连导体上并固持于所述互连套筒内壁上的绝缘套和组装于所述互连导体的两端的弹性导体接触件；

组装于所述安装空腔内的多个薄膜芯片组件，其中每个薄膜芯片组件包括形成有芯片空腔的芯筒和安装于所述芯筒内的芯片空腔内的薄膜芯片，每两个相邻的薄膜芯片组件之间设置一个互连组件；

其中，组装于所述互连组件的互连导体的一端的弹性导体接触件与相邻的薄膜芯片组件中的薄膜芯片的一端电性相连，组装于所述互连组件的互连导体的另一端的弹性导体接触件与相邻的薄膜芯片组件中的薄膜芯片的一端相连，组装于所述连接组件的内导体的内端的弹性导体接触件与相邻的薄膜芯片组件中的薄膜芯片的一端相连，

所述薄膜芯片为负载片和/或衰减片。

2.如权利要求1所述的多芯同轴器件，其特征在于，所述多芯同轴器件为多芯同轴衰减器，

所述连接组件为两个，其中一个连接组件组装于所述安装空腔的一端，另一个连接组件组装于所述安装空腔的另一端，所述互连组件和所述薄膜芯片组件安装于两个连接组件之间，

所述薄膜芯片均为衰减片，所述多个薄膜芯片组件的增益的绝对值按照在所述安装空腔内的位置顺序从信号输入端至信号输出端依次增加。

3.如权利要求1所述的多芯同轴器件，其特征在于，所述多芯同轴器件为多芯同轴负载，

所述连接组件为一个，其中所述连接组件组装于所述安装空腔的一端；

距离所述连接组件最远的薄膜芯片为负载片，其余薄膜芯片为衰减片，

所述多个薄膜芯片组件的增益的绝对值按照所述连接组件的位置顺序从靠近所述连接组件到远离所述连接组件依次增加。

4.如权利要求3所述的多芯同轴器件，其特征在于，其还包括有组装于所述安装空腔的另一端的负载堵头。

5.如权利要求1所述的多芯同轴器件，其特征在于，

所述芯筒的筒壁上设置有两个对应的卡槽，所述薄膜芯片的两侧边插入并固持与所述卡槽内。

6.如权利要求5所述的多芯同轴器件，其特征在于，

所述衰减片的两侧边焊接于所述卡槽内。

7.如权利要求1所述的多芯同轴器件，其特征在于，

所述衰减片包括基板、自所述基板的第一端边中部向第二端边延伸形成的第一金属电极区、自所述基板的第二端边中部向第一端边延伸形成的第二金属电极区、延伸于所述基板的第一端边和第二端边之间的靠近所述基板的第一侧边的第一金属接地区、延伸于所述基板的第一端边和第二端边之间的靠近所述基板的第二侧边的第二金属接地区、自第一金属接地区向第二金属接地区延伸的薄膜电阻区，

该薄膜电阻区与第一金属接地区、第二金属接地区、第一金属电极区、第二金属电极区电性相连，

第一金属接地区和第二金属接地区与所述芯筒的内壁电性相连，

第一金属电极区与相邻的弹性导体接触件电性相连，第二金属电极区与相邻的弹性导体接触件相连。

8.如权利要求7所述的多芯同轴器件，其特征在于，

所述基板的四个角为阶梯角，第二金属接地区和第一金属接地区自阶梯角的边缘开始延伸或自阶梯角的边缘间隔一段距离再开始延伸，从而使得第二金属接地区和第一金属接地区的长度较所述基板的第一端边和第二端边之间的长度小。