[实用新型]太阳能电池减反射膜、电池片及电池组件有效
申请号: | 201822056940.9 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN208923157U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 吴华德;熊光涌;宿世超 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨金 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 减反射膜 氮化硅膜层 氢离子 本实用新型 硅衬底表面 减反射作用 电池组件 电池片 光电转化效率 太阳能电池片 折射率关系 氮化硅层 钝化功能 高折射率 依次层叠 硅衬底 缺陷态 悬挂键 折射率 渐变 钝化 | ||
本实用新型提供了一种太阳能电池减反射膜、电池片及电池组件,其中所涉及的太阳能电池减反射膜包括依次层叠设置于太阳能电池片硅衬底外的第一氮化硅膜层及第二氮化硅膜层,其中,高折射率的第一氮化硅膜层内通常含有大量的氢离子,氢离子能够与硅衬底表面的悬挂键充分结合以降低硅衬底表面的缺陷态,如此可以确保太阳能电池减反射膜具有较好的钝化功能;而第二氮化硅膜层由于其与第一氮化硅层的折射率关系以及其自身折射率呈高低渐变的特性,可以更好的起到减反射作用;即本实用新型所提供的太阳能电池减反射膜兼具优异的钝化及减反射作用,有助于提高太阳能电池的光电转化效率。
技术领域
本实用新型涉及新能源技术领域,尤其涉及一种太阳能电池减反射膜、电池片及电池组件。
背景技术
在太阳能电池设计中,为了提高太阳能电池光电转换效率,可以考虑从增加电池对太阳光的吸收以产生更多的光生载流子入手,减反射薄膜由于能够降低太阳能电池表面对光的反射损失,一直以来都是太阳能电池研究领域的热点。
目前晶体硅太阳能电池工艺中所涉及的减反射薄膜通常使用氮化硅薄膜,其中,氮化硅薄膜采用硅烷和氨气为原料并通过管式PECVD沉积成型,基于其制作工艺,所制得的氮化硅薄膜中含有能够与硅片表面的悬挂键形成氢钝化的氢离子。为达到较好的钝化效果,在制作氮化硅薄膜过程中,硅烷/氨气的流量比通常为一较大比值,从而确保所得到的氮化硅薄膜中具有足够的氢离子(硅烷中氢的含量比大于氨气中氢的含量比)。
光的反射是发生在两种不同折射率的介质界面,当两介质折射率差异越大,反射就越大(减反射效果差);然现有设计中硅烷/氨气以大流量比制得的氮化硅薄膜通常具有较大的折射率,如此使得现有设计中所涉及的氮化硅薄膜减反射效果差。即现有设计中所涉及的氮化硅薄膜钝化作用与减反射作用不能同时兼顾。
有鉴于此,业界需要制备一种兼具更低反射率和更优钝化效果的减反射膜以期进一步提高太阳能电池的光电转换效率。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一,为实现上述目的,本实用新型提供了一种太阳能电池减反射膜,其具体设计方式如下。
一种太阳能电池减反射膜,包括依次层叠设置于太阳能电池片硅衬底外的第一氮化硅膜层及第二氮化硅膜层,所述第一氮化硅膜层的折射率大于所述第二氮化硅膜层的折射率,且于所述第一氮化硅膜层指向所述第二氮化硅膜层的方向上,所述第二氮化硅膜层的折射率呈由高到低渐变趋势。
进一步,所述第一氮化硅膜层质地均匀,且折射率取值范围为2.2-2.38。
进一步,所述第二氮化硅膜层的折射率渐变范围为2.1-1.95。
进一步,所述第一氮化硅膜层的厚度范围为8-15nm,所述第二氮化硅膜层的厚度范围为50-70nm。
进一步,所述太阳能电池减反射膜还包括层叠设置于所述第二氮化硅膜层表面的氮氧化硅膜层。
进一步,所述氮氧化硅膜层质地均匀,且折射率取值范围为1.7-1.9。
进一步,所述氮氧化硅膜层的厚度范围为20-40nm。
本实用新型还提供了一种太阳能电池片,其包括硅衬底以及设置于所述硅衬底外如以上所述的太阳能电池减反射膜。
进一步,所述太阳能电池减反射膜设置于所述硅衬底的背面,所述太阳能电池片还具有设置于所述硅衬底与所述太阳能电池减反射膜之间氧化铝钝化层。
本实用新型还提供了一种太阳能电池组件,其具有以上所述的太阳能电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的