[实用新型]太阳能电池减反射膜、电池片及电池组件有效
| 申请号： | 201822056940.9 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN208923157U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吴华德;熊光涌;宿世超 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/042 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨金 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 减反射膜 氮化硅膜层 氢离子 本实用新型 硅衬底表面 减反射作用 电池组件 电池片 光电转化效率 太阳能电池片 折射率关系 氮化硅层 钝化功能 高折射率 依次层叠 硅衬底 缺陷态 悬挂键 折射率 渐变 钝化 | ||
1.一种太阳能电池减反射膜，其特征在于，包括依次层叠设置于太阳能电池片硅衬底外的第一氮化硅膜层及第二氮化硅膜层，所述第一氮化硅膜层的折射率大于所述第二氮化硅膜层的折射率，且于所述第一氮化硅膜层指向所述第二氮化硅膜层的方向上，所述第二氮化硅膜层的折射率呈由高到低渐变趋势。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池减反射膜，其特征在于，所述第一氮化硅膜层质地均匀，且折射率取值范围为2.2-2.38。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池减反射膜，其特征在于，所述第二氮化硅膜层的折射率渐变范围为2.1-1.95。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池减反射膜，其特征在于，所述第一氮化硅膜层的厚度范围为8-15nm，所述第二氮化硅膜层的厚度范围为50-70nm。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的太阳能电池减反射膜，其特征在于，所述太阳能电池减反射膜还包括层叠设置于所述第二氮化硅膜层表面的氮氧化硅膜层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池减反射膜，其特征在于，所述氮氧化硅膜层质地均匀，且折射率取值范围为1.7-1.9。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池减反射膜，其特征在于，所述氮氧化硅膜层的厚度范围为20-40nm。
8.一种太阳能电池片，包括硅衬底，其特征在于，所述太阳能电池片还具有设置于所述硅衬底外如权利要求1-7任意一项所述的太阳能电池减反射膜。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池减反射膜设置于所述硅衬底的背面，所述太阳能电池片还具有设置于所述硅衬底与所述太阳能电池减反射膜之间的氧化铝钝化层。
10.一种太阳能电池组件，其特征在于，具有权利要求8或9所述的太阳能电池片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
