[实用新型]低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路

说明书

本实用新型公开了一种低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，包括：输入节点和输出节点，输入节点和输出节点之间连接有参考路径和衰减路径，输入节点接收待衰减信号，输出节点输出衰减信号。本实用新型的有益效果为：(1)采用切换参考路径和衰减路径的电路架构，可以在满足高动态衰减范围的同时，实现常数相位特性；(2)非对称开关结构，串联电抗元件，构成低通匹配结构，可以在在较宽的频率范围内实现大动态高精度低插损低附加相移的特性；(3)采用改进的T型或者π型电阻网络，能够进一步提高衰减精度。

技术领域

本发明涉及可变衰减电路技术领域，尤其是一种低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路。

背景技术

可变衰减电路广泛应用于雷达信号模拟器、信号发生器、自动增益控制器、相控阵系统、电子对抗系统和通信系统等，实现对信号幅度的控制。当前，可变衰减电路存在个衰减态之间相位差较大和大动态衰减范围时衰减精度低的不足，限制了可变衰减电路在现今系统中应用，或是增加了应用系统的复杂度。各衰减态相移一致、大动态范围内的衰减精度、高度一致性和温度稳定性的衰减电路能使应用系统省去校准工作，降低应用系统复杂度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，可以在满足超宽带带和高动态范围的应用需求下，实现超低附加相移以及优异的衰减精度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，包括：输入节点和输出节点，输入节点和输出节点之间连接有参考路径和衰减路径，输入节点接收待衰减信号，输出节点输出衰减信号。

优选的，参考路径包括第一串联晶体管、若干并联晶体管和若干串联电抗元件；第一并联晶体管与第一串联晶体管连接，若干并联晶体管之间通过串联电抗逐级连接；第一控制电压施加于第一串联晶体管的偏置节点，第二控制电压施加于参考路径中所有若干并联晶体管的偏置节点上。

优选的，衰减路径包括第二串联晶体管、若干并联晶体管、若干串联电抗元件和衰减网络；第二串联晶体管与输入节点之间通过电抗元件连接，第二并联晶体管与第二串联晶体管连接，若干并联晶体管之间采用串联电抗元件逐级连接，衰减网络设置于若干级联连接并联晶体管和串联电抗元件的对称中心位置；第三控制电压施加于第二串联晶体管的偏置节点，第四控制电压施加于衰减路径中所有若干并联晶体管的偏置节点上。

优选的，参考路径中第一串联晶体管的沟道宽度大于衰减路径中第二串联晶体管的沟道宽度。

优选的，在前级电路与电路输入节点间串联电抗元件，在电路输出节点和后级电路输入端口之间串联电抗元件，增强电路的匹配特性。

优选的，若干串联电抗元件采用电感器件或者高特征阻抗的传输线。

优选的，衰减网络采用改进的T型电阻网络实现，在T型网络的公共节点与接地电阻之间串联电抗性元件，电抗性元件用于调节高频衰减精度。

优选的，衰减网络采用改进的π型电阻网络实现，在π型网络的输出节点与接地电阻之间串联电抗性元件，电抗性元件用于调节高频衰减精度。

本发明的有益效果为：(1)采用切换参考路径和衰减路径的电路架构，可以在满足高动态衰减范围的同时，实现常数相位特性；(2)非对称开关结构，串联电抗元件，构成低通匹配结构，可以在在较宽的频率范围内实现大动态高精度低插损低附加相移的特性；(3)采用改进的T型或者π型电阻网络，能够进一步提高衰减精度。

附图说明

图1为本发明的电路结构示意图。

图2为本发明改进T型和改进π型电阻网络示意图。

图3为本发明的实施例电路原理示意图。

图4为本发明实施例参考态下的衰减电路等效电路原理示意图。