[实用新型]低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路有效
| 申请号： | 201822049408.4 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN209375595U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 盖川;李垚;夏冬 | 申请（专利权）人： | 南京米乐为微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24;H03H11/28 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 211111 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 常数相位 输出节点 输入节点 大动态 低通 数控衰减电路 本实用新型 参考路径 衰减路径 衰减 匹配 待衰减信号 非对称开关 电抗元件 电路架构 电阻网络 匹配结构 输出衰减 高动态 插损 相移 串联 改进 | ||
1.低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，其特征在于，包括：输入节点和输出节点，输入节点和输出节点之间连接有参考路径和衰减路径，输入节点接收待衰减信号，输出节点输出衰减信号。
2.如权利要求1所述的低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，其特征在于，参考路径包括第一串联晶体管、若干并联晶体管和若干串联电抗元件；第一并联晶体管与第一串联晶体管连接，若干并联晶体管之间通过串联电抗逐级连接；第一控制电压施加于第一串联晶体管的偏置节点，第二控制电压施加于参考路径中所有若干并联晶体管的偏置节点上。
3.如权利要求1所述的低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，其特征在于，衰减路径包括第二串联晶体管、若干并联晶体管、若干串联电抗元件和衰减网络；第二串联晶体管与输入节点之间通过电抗元件连接，第二并联晶体管与第二串联晶体管连接，若干并联晶体管之间采用串联电抗元件逐级连接，衰减网络设置于若干级联连接并联晶体管和串联电抗元件的对称中心位置；第三控制电压施加于第二串联晶体管的偏置节点，第四控制电压施加于衰减路径中所有若干并联晶体管的偏置节点上。
4.如权利要求2或3所述的低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，其特征在于，参考路径中第一串联晶体管的沟道宽度大于衰减路径中第二串联晶体管的沟道宽度。
5.如权利要求1所述的低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，其特征在于，在前级电路与电路输入节点间串联电抗元件，在电路输出节点和后级电路输入端口之间串联电抗元件。
6.如权利要求2或3所述的低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，其特征在于，若干串联电抗元件采用电感器件或者高特征阻抗的传输线。
7.如权利要求3所述的低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，其特征在于，衰减网络采用改进的T型电阻网络实现，在T型网络的公共节点与接地电阻之间串联电抗性元件。
8.如权利要求3所述的低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路，其特征在于，衰减网络采用改进的π型电阻网络实现，在π型网络的输出节点与接地电阻之间串联电抗性元件。
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