[实用新型]晶圆传送装置有效
申请号: | 201822046385.1 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN208954960U | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 林立;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;胡广严 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 传送机器人 机械手臂 移动平台 电动机 晶圆传送装置 输出轴 晶圆位置 传送 本实用新型 传送装置 输出量 毁损 良率 种晶 生产 | ||
该实用新型涉及一种晶圆传送装置,包括:传送机器人,用于传送晶圆;机械手臂,安装至传送机器人,能够跟随传送机器人运动,用于放置晶圆;移动平台,安装至传送机器人,能够跟随传送机器人运动,且移动平台包括电动机;机械手臂连接至电动机的输出轴,由电动机的输出轴的输出量来调整机械手臂的位置,从而调整晶圆的位置。本实用新型的晶圆传送装置具有移动平台,通过移动平台的电动机的输出轴,可以控制放置晶圆的机械手臂的位置,从而调整晶圆的位置,使得在使用晶圆传送装置进行晶圆传送时,能够在晶圆位置出现偏差时及时对晶圆位置进行调整,从而防止晶圆毁损,提高晶圆生产的良率。
技术领域
本实用新型涉及晶圆生产领域,具体涉及一种晶圆传送装置。
背景技术
在半导体工艺技术中,晶圆在不同腔体之间的传送十分重要。
例如,化学气相沉积(CVD,Chemical Vapor Deposition)工艺作为主要的介质层成膜技术,是半导体技术中一个很重要的模块,在先进工艺中的应用也越来越广泛。而在进行化学气相沉积的过程中,需要将晶圆从FOUP(Front opening unified pod,前开式晶圆传送盒)传送到反应腔室(Chamber)内,以在反应腔室内完成化学气相沉积,再将完成化学气相沉积的晶圆传送回FOUP。在传送晶圆的过程中,晶圆在缓冲腔(Buffer chamber)、预真空腔(Load Lock),和FOUP之间被传送,很有可能会发生位置的偏移。
现有技术中,一旦晶圆在传送过程中出现位置的偏移,设置在缓冲腔内的监控模块就会发出警报,并控制传送机器人停止传送晶圆。此时,被传送的晶圆无法被传送回FOUP。然而由于缓冲腔为真空腔,若打开缓冲腔将无法被传送回FOUP的晶圆取出,则很有可能会造成晶圆的报废,影响晶圆生产的良率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆传送装置,能够调节被传送的晶圆的位置偏移,防止晶圆在传送过程中发生毁损,提高晶圆生产的良率。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种晶圆传送装置,包括:传送机器人,用于传送晶圆;机械手臂,安装至所述传送机器人,能够跟随所述传送机器人运动,用于放置晶圆;移动平台,安装至所述传送机器人,能够跟随所述传送机器人运动,且所述移动平台包括电动机;所述机械手臂连接至所述电动机的输出轴,由所述电动机的输出轴的输出量来调整所述机械手臂的位置,从而调整晶圆的位置。
可选的,所述电动机包括:Y方向电动机,所述Y方向电动机的输出轴的长度方向与笛卡尔坐标系的Y轴方向平行,用于控制所述机械手臂在Y轴方向上的位置;X方向电动机,所述X方向电动机的输出轴的长度方向与笛卡尔坐标系的X轴方向平行,且所述X方向电动机连接所述Y方向电动机的输出轴,能够跟随所述Y方向电动机的输出轴的输出量运动;所述机械手臂连接所述X方向电动机的输出轴。
可选的,所述Y方向电动机的Y方向输出轴连接至所述X方向电动机,使所述X方向电动机的位置跟随所述Y方向输出轴的输出量的变化而变化。
可选的,所述机械手臂连接至X方向电动机的X方向输出轴。
可选的,还包括:回位传感器,安装于所述传送机器人,用于检测所述机械手臂的位置。
可选的,所述回位传感器包括:X方向回位传感器,用于检测所述机械手臂在笛卡尔直角坐标系的X轴方向上的位置;Y方向回位传感器,用于检测所述机械手臂在笛卡尔直角坐标系的Y轴方向上的位置。
可选的,还包括控制器,分别连接至所述移动平台与所述回位传感器,用于控制所述移动平台调整机械手臂的位置。
可选的,所述机械手臂包括两个,分别设置在所述传送机器人的两侧,以同时传送两片晶圆;所述移动平台也包括两组,分别设置在所述传送机器人的两侧,对设置在所述传送机器人的两侧的机械手臂的位置分别进行控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造