[实用新型]一种感应加热用IGBT单管

说明书

一种感应加热用IGBT单管，与整流桥外形相同，其特征在于所述的背面为铜基板，铜基板与DBC基片之间为焊片A，DBC基片与IGBT芯片之间为焊片B，7只管脚从左至右分别为IGBT控制端、IGBT高压端、IGBT低压端、整流桥高压输出端、整流桥输入端1、整流桥输入端2、整流桥低压输出端；优点为：降低了了生产焊接难度，节约空间，散热性能好。

技术领域

本实用新型涉及一种感应加热装置，尤其是一种IGBT单管装置，适用于小功率电磁加热领域。

背景技术

目前市场上的电磁电热主要采用功率元器件分立焊接方式，增加了生产焊接难度，浪费了宝贵的空间，又无法充分发挥整体的散热性能，导致IGBT器件温升较高，而其它器件温升不明显。

发明内容

本实用新型的目的在于避免现有技术的不足而提供一种感应加热用IGBT单管。

本实用新型的技术方案是：一种感应加热用IGBT单管，与整流桥外形相同，背面为铜基板，铜基板与DBC基片之间为焊片，DBC基片与IGBT芯片之间为焊片，7只管脚从左至右分别为IGBT控制端、IGBT高压端、IGBT低压端、整流桥高压输出端、整流桥输入端1、整流桥输入端2、整流桥低压输出端。

所述的IGBT单管宽度为现有整流桥宽度的1.5倍，厚度与现有整流桥厚度相同。

所述的IGBT单管内部采用DCB工艺，进行芯片间的电性隔离及线路规划。

所述的铜基板、DBC基片在封装前即一体成型，线路预腐蚀完成。

所述的IGBT芯片与管脚间以铝线连接。

所述的整流桥，由4个二极管芯片组成的整流桥芯片，为全桥结构将交流电转变为直流电。

所述的FRD芯片，搭配IGBT芯片使用，与IGBT芯片并联，保护IGBT芯片。

与现有技术相比，本实用新型的优点是：产品将功率器件整体封装，减少生产厂家的生产焊接难度，节省时间和空间，并充分发挥整体散热优势，有效提高产品的稳定性和一致性。

附图说明

图1为本实用新型的内部结构图。

图2为本实用新型的外部结构图。

图中：1为铜基板，2为焊片A，3为DBC基片，4为焊片B，5为IGBT芯片，6为FRD芯片，7为整流桥芯片，8为IGBT 控制端，9为IGBT 高压端，10为IGBT低压端，11为整流桥高压输出端，12为整流桥输入端1，13为整流桥输入端2，14为整流桥低压输出端。

具体实施方式

下面结合附图详细叙述本实用新型的实施例。

如图1、2所示，一种感应加热用IGBT单管，与整流桥外形相同，所述的背面为铜基板1，铜基板1与DBC基片3之间为焊片A2，DBC基片3与IGBT芯片5之间为焊片B4，7只管脚从左至右分别为IGBT控制端8、IGBT高压端9、IGBT低压端10、整流桥高压输出端11、整流桥输入端1 12、整流桥输入端2 13、整流桥低压输出端14。

所述的IGBT单管宽度为现有整流桥宽度的1.5倍，厚度与现有整流桥厚度相同。

所述的IGBT单管内部采用DCB工艺，进行芯片间的电性隔离及线路规划。

所述的铜基板1、DBC基片3在封装前即一体成型，线路预腐蚀完成。

所述的IGBT芯片5与管脚间以铝线连接。

所述的整流桥，由4个二极管芯片组成的整流桥芯片7，为全桥结构将交流电转变为直流电。

所述的FRD芯片6，搭配IGBT芯片5使用，与IGBT芯片5并联，保护IGBT芯片5。