[实用新型]一种硅片加工用的新型花篮有效
| 申请号: | 201822031145.4 | 申请日: | 2018-12-05 | 
| 公开(公告)号: | CN209150066U | 公开(公告)日: | 2019-07-23 | 
| 发明(设计)人: | 王宇 | 申请(专利权)人: | 无锡隆基硅材料有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张华伟 | 
| 地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 侧杆 硅片加工 框架本体 新型花篮 本实用新型 调节装置 葵花籽形 两侧设置 两端设置 框架本 两端部 挡杆 耳座 根侧 硅片 棱边 下端 破损 体内 | ||
一种硅片加工用的新型花篮,其包括框架本体,框架本体内两侧设置有侧杆,框架本体的下端设置有挡杆,框架本体的外侧两端设置有耳座,其特征在于:所述的侧杆上设置有一排葵花籽形侧杆齿,所述的侧杆齿均匀的设置于两侧的侧杆上,所述侧杆的两端部设置有调节装置,用于调节两根侧杆之间的间距。本实用新型为一种可降低硅片棱边破损,提高硅片加工效率的新型花篮。
技术领域
本实用新型涉及硅片加工装置技术领域,具体涉及一种硅片加工用的新型花篮。
背景技术
随着光伏市场的不断发展,用户对光伏组件的要求也越来越高,要求硅片保持良好的整洁度,因此硅片在加工过程中出现棱边破损等不良现象往往意味着硅片加工失败。在插片机硅片插片、清洗机硅片清洗等硅片加工过程中均需要使用到花篮,以对硅片进行彻底的清洁、干燥。现有的花篮为珠子式花篮,其具体结构如图5所示,珠子式花篮在使用过程中存在以下缺点:①疏水性较差,不易干燥能耗较高,②吸片率偏高,超薄硅片吸片后难以彻底干燥,③侧边易弯曲变形导致插入的硅片出现棱边破损,④产能有待提高,⑤整体结构为固定式,不同规格硅片加工需要调换对应规格的花篮,使用较为繁琐。
实用新型内容
针对现有技术不足,本实用新型提供了一种降低硅片棱边破损,提高硅片加工效率的新型花篮。
本实用新型解决上述技术问题采用的技术方案为:一种硅片加工用的新型花篮,其包括框架本体,框架本体内两侧设置有侧杆,框架本体的下端设置有挡杆,框架本体的外侧两端设置有耳座,所述的侧杆上设置有一排葵花籽形侧杆齿,所述的侧杆齿均匀的设置于两侧的侧杆上,葵花籽形侧杆齿横截面为梭形,葵花籽形花篮齿均匀固定在侧杆上,使插入的硅片在理想状态下呈等间距、平行状态,所述侧杆的两端部设置有调节装置,用于调节两根侧杆之间的间距。
进一步地,每个所述的侧杆齿的两个侧面底部均设置有小平面,所述的侧面为与相邻侧杆齿相隔最近的一面,所述小平面为侧杆齿的侧面中部从底端垂直侧杆向顶端和四周延伸的平面。
进一步地,所述的调节装置为可调U型板,可调U型板的两侧通过垫不同厚度垫片适用于各种规格硅片。
进一步地,所述的侧杆齿的高度为9.35mm,小平面的高度为3.5mm。
进一步地,每个所述的侧杆上设置侧杆齿的数量为120个。
进一步地,所述的侧杆外侧的框架本体上设置有加强筋,有效增加侧杆抗弯性,针对硅片此类超薄产品,可以有效减少因侧杆弯曲导致的硅片在加工过程中产生棱边损伤以及整体破损的情况。
与现有技术相比,本实用新型具备的优点为:相较于现有的花篮,本实用新型的花篮通过侧杆齿形的创新设计,大大提高了侧杆齿数量及单个花篮插片数,同时通过侧杆齿上小平面设计进一步破除表面张力,大幅度减小硅片吸片现象的发生,而且侧杆齿的尺寸较现有珠子式花篮有较大的改进,较长的侧杆齿使硅片与侧杆齿接触面积增大,进一步降低吸片率,这些都有助于提升硅片加工效率,并大幅提升产能;花篮结构侧杆可通过可调U型板调节,将花篮侧杆通过垫不同厚度垫片以适用于各种规格硅片,针对硅片入篮以及出片更有利,有效提升插片速率以及出片速率,使用方便、高效;现有的珠子式花篮结构如图5所示,由于其结构设置的需要,其两端部分别设置有大头22和小头21,在使用时非常不便,本实用新型的花篮结构无大小头区分,方便员工操作使用。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为图1的侧视图;
图3为某一侧杆齿与相邻侧杆齿相对侧的结构示意图;
图4为图1S部位局部放大图;
图5为现有的珠子式花篮结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





