[实用新型]一种研磨头清洗及晶圆装卸装置

说明书

本实用新型提供了一种研磨头清洗及晶圆装卸装置，所述研磨头清洗及晶圆装卸装置包括：清洗单元、清洗槽和多个保护柱，所述清洗单元设于所述清洗槽的底部，所有所述保护柱布置在所述清洗槽内且分散设于所述清洗单元上。当晶圆受到研磨头的压力时，多个所述保护柱同时给予相反方向的力，使得晶圆均匀受力，各所述保护柱均不容易发生变形，晶圆中心也不会因应力太大而存在被压碎的风险。因此，本实用新型的研磨头清洗及晶圆装卸装置解决了晶圆在现有研磨头清洗及晶圆装卸装置上因研磨头的压力可能会被压碎的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种研磨头清洗及晶圆装卸装置。

背景技术

随着高科技电子消费市场的迅速发展，晶圆制造行业要求越来越高的器件密度和越来越小的线宽，随之而来，晶圆表面平坦程度的要求也越来越高。现有技术中，抛光是获得晶圆表面平坦化的最佳方法。最常用的抛光技术是化学机械研磨(CMP，ChemicalMechanical Planarization，也称化学机械抛光)，CMP工艺的主要工作原理是将晶圆吸在研磨头上，以一定压力与转速在研磨垫上研磨，将晶圆研磨到目标厚度。

化学机械研磨装置通常包括一研磨头清洗及晶圆装卸装置(head clean load/unload，HCLU)，用来提供晶圆装卸中转，以及对研磨头和放置在HCLU上的晶圆进行清洗。现有的HCLU通常只支撑晶圆的中心，当通过研磨头在HCLU上装卸晶圆时，由于研磨头的压力可能会导致晶圆发生破裂。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种研磨头清洗及晶圆装卸装置，以解决晶圆在现有研磨头清洗及晶圆装卸装置上因研磨头的压力可能会被压碎的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种研磨头清洗及晶圆装卸装置，所述研磨头清洗及晶圆装卸装置包括：清洗单元、清洗槽和多个保护柱；所述清洗单元设于所述清洗槽的底部，所有所述保护柱布置在所述清洗槽内且分散设于所述清洗单元上。

可选地，在所述的研磨头清洗及晶圆装卸装置中，所述清洗单元包括供水管道和多个喷头，所有所述喷头与所述供水管道相连通；所述保护柱设于所述供水管道上且在所述供水管道上的设置位置与所述供水管道的形状相匹配。

可选地，在所述的研磨头清洗及晶圆装卸装置中，所述供水管道包括第一管道、第二管道、第三管道和第四管道，所述第一管道和所述第二管道呈同心环状分布且所述第二管道围绕所述第一管道，所述第三管道的数量为多个，各所述第三管道沿着所述同心环的径向连接所述第一管道和所述第二管道且多个所述第三管道两两对称于所述同心环的中心分布，所述第四管道沿着所述同心环的径向分布于所述第一管道所构成的圆形腔内且所述第四管道的长度与所述第一管道所构成的圆形腔直径相等；其中一所述保护柱固定于所述第四管道的中心位置，剩余所述保护柱沿着所述第三管道分布的方向固定于所述第二管道和第三管道上。

可选地，在所述的研磨头清洗及晶圆装卸装置中，所述第三管道的数量为四个，其中两个所述第三管道和所述第四管道位于同一直线上，另外两个所述第三管道垂直于所述直线分布。

可选地，在所述的研磨头清洗及晶圆装卸装置中，所述清洗槽为中空的圆台型或圆柱体型，所述清洗单元位于所述清洗槽的中空腔内。

可选地，在所述的研磨头清洗及晶圆装卸装置中，所述研磨头清洗及晶圆装卸装置还包括多个支撑柱，所有所述支撑柱在所述清洗槽的顶表面呈环状均匀分布。

可选地，在所述的研磨头清洗及晶圆装卸装置中，所有所述支撑柱的顶面构成一支撑面，所述支撑面位于所有所述保护柱的顶面所构成的平面之上。

可选地，在所述的研磨头清洗及晶圆装卸装置中，所述研磨头清洗及晶圆装卸装置还包括多个呈圆台型的第一限位件，所有所述第一限位件在所述清洗槽的顶表面呈环状均匀分布；所述第一限位件的高度大于所述支撑柱的高度。