[实用新型]基板处理系统有效
申请号: | 201821998575.7 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN209029340U | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 林世佳;冯傅彰 | 申请(专利权)人: | 辛耘企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排液管路 回收槽 处理液 基板处理系统 冷却液供应 处理装置 混合液 冷却液 连通 处理液混合 对基板 排出 容置 并用 外部 | ||
一种基板处理系统,包括处理装置、回收槽、排液管路以及冷却液供应单元。处理装置使用处理液对基板进行处理。回收槽用以容置处理液。排液管路连通于回收槽。冷却液供应单元连通于排液管路,并用以供应冷却液至排液管路,以使冷却液与处理液混合成混合液,其中排液管路用以将混合液以及回收槽内的处理液排出至外部端。
技术领域
本实用新型涉及一种基板处理系统,尤其涉及一种使用处理液的基板处理系统。
背景技术
目前的半导体元件制造方法须进行多种湿工艺,例如蚀刻、清洗及电镀。当进行这些湿工艺时,会使用多种处理液来处理基板,其中处理液例如是蚀刻液、清洗液以及电镀液。处理液在产线中通常会循环,并重复使用,而在处理液的循环中,处理液会存放在回收槽内,其中回收槽能收集使用过的处理液,并将可使用的处理液输出至湿工艺机台,以进行湿工艺。
在某些湿工艺中,处理液的温度会上升。例如,有的蚀刻工艺是使用热磷酸来蚀刻氮化硅。当处理液的温度上升到一定的程度时,处理液可能会进入沸腾状态。有时候,处理液的温度虽然足以进入沸腾状态,但因为处理液的内部分子仍未气化,所以还不会沸腾,直到处理液受到扰动,才会突然发生沸腾,产生大量的气体。这种突然发生沸腾的现象称为突沸。由于沸腾会产生大量的气体,所以容易发生爆炸的危险。此外,突沸通常会产生大量的热能,并使处理液喷溅,导致人员可能受到烫伤,或是被具腐蚀性的处理液伤害。
实用新型内容
本实用新型提供一种基板处理系统,其利用冷却液供应单元所供应的冷却液来降低处理液的温度,以避免突沸的发生。
本实用新型另提供一种基板处理系统,其能帮助防止突沸的发生。
本实用新型一实施例提出一种基板处理系统,其包括处理装置、回收槽、排液管路以及冷却液供应单元。处理装置使用处理液对基板进行处理。回收槽用以容置处理液。排液管路连通于回收槽,并用以将回收槽内的处理液排出至外部端。冷却液供应单元连通于排液管路,并用以供应冷却液至排液管路,以使冷却液与处理液混合成混合液,其中排液管路用以将混合液排出至外部端。
在本实用新型的一实施例中,上述的基板处理系统还包括连接排液管路的温度监测单元,其用以监测排液管路内流向外部端的混合液的排液温度。当温度监测单元监测到排液温度大于停止门槛值时,排液管路停止排出混合液至外部端。
在本实用新型的一实施例中,上述的基板处理系统还包括连接回收槽的异常温度监测单元,其用以监测回收槽内处理液的温度。冷却液供应单元更连通于回收槽。当异常温度监测单元监测到回收槽内的处理液温度大于或等于异常温度值时,冷却液供应单元供应冷却液至回收槽内的处理液。
在本实用新型的一实施例中,当异常温度监测单元监测到回收槽内的处理液温度大于或等于异常温度值时,温度监测单元停止监测排液温度,且排液管路将回收槽内的处理液排出至外部端。
在本实用新型的一实施例中,上述的基板处理系统还包括排气装置,其连通于回收槽。当异常温度监测单元监测到回收槽内的处理液温度大于或等于异常温度值时,排气装置对回收槽进行排气(exhausting)。
本实用新型另一实施例提出一种基板处理系统,其包括处理装置、回收槽、异常温度监测单元、排液管路、排气装置以及冷却液供应单元。处理装置使用处理液对基板进行处理。回收槽用以容置处理液。异常温度监测单元用以监测回收槽内处理液的温度。排液管路连通于回收槽,并用以将回收槽内的处理液排出至外部端。排气装置连通于回收槽,并用以对回收槽进行排气。冷却液供应单元连通于回收槽,并用以供应冷却液。当异常温度监测单元监测到回收槽内的处理液温度大于或等于异常温度值时,排气装置对回收槽进行排气,而冷却液供应单元供应冷却液至回收槽内的处理液,以使冷却液与处理液混合成混合液,排液管路将混合液排出至外部端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造