[实用新型]基板处理系统有效
申请号: | 201821998575.7 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN209029340U | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 林世佳;冯傅彰 | 申请(专利权)人: | 辛耘企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排液管路 回收槽 处理液 基板处理系统 冷却液供应 处理装置 混合液 冷却液 连通 处理液混合 对基板 排出 容置 并用 外部 | ||
1.一种基板处理系统,其特征在于,包括:
一处理装置,使用一处理液对一基板进行处理;
一回收槽,用以容置该处理液;
一排液管路,连通于该回收槽,并用以将该回收槽内的该处理液排出至一外部端;以及
一冷却液供应单元,连通于该排液管路,并用以供应一冷却液至该排液管路,以使该冷却液与该处理液混合成一混合液,其中该排液管路用以将该混合液排出至该外部端。
2.如权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,还包括一连接该排液管路的温度监测单元,其用以监测该排液管路内流向该外部端的该混合液的一排液温度,当该温度监测单元监测到该排液温度大于一停止门槛值时,该排液管路停止排出该混合液至该外部端。
3.如权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,还包括一连接该回收槽的异常温度监测单元,其用以监测该回收槽内该处理液的温度,而该冷却液供应单元更连通于该回收槽,当该异常温度监测单元监测到该回收槽内的该处理液温度大于或等于一异常温度值时,该冷却液供应单元供应该冷却液至该回收槽内的该处理液。
4.如权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于,当该异常温度监测单元监测到该回收槽内的该处理液温度大于或等于该异常温度值时,该温度监测单元停止监测该排液温度,且该排液管路将该回收槽内的该处理液排出至该外部端。
5.如权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于,还包括控制该冷却液供应单元供应该冷却液至该排液管路的流量以及该排液管路将该回收槽内的该混合液排出的流量的两者比值。
6.如权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于,还包括:
一壳体,其中该回收槽与至少一部分该排液管路配置于该壳体内;以及
一漏液侦测单元,连接该壳体,当该漏液侦测单元侦测该壳体外出现漏液时,该排液管路停止排出该处理液至该外部端。
7.如权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于,还包括一排气装置,其连通于该回收槽,当该异常温度监测单元监测到该回收槽内的该处理液温度大于或等于该异常温度值时,该排气装置对该回收槽进行排气。
8.如权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,当该温度监测单元监测到该回收槽内该处理液的温度不大于或等于该异常温度值时,该排气装置以一第一排气量来排气;
当该温度监测单元监测到该回收槽内该处理液的温度大于或等于该异常温度值时,该排气装置以一第二排气量来排气,其中该第二排气量大于该第一排气量。
9.如权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,该回收槽还包括一处理液容置区以及一气体缓冲区,该处理液容置于该处理液容置区,而该处理液所产生的气体释放至该气体缓冲区。
10.一种基板处理系统,其特征在于,包括:
一处理装置,使用一处理液对一基板进行处理;
一回收槽,用以容置该处理液;
一温度监测单元,用以监测该回收槽内该处理液的温度;
一排液管路,连通于该回收槽,并用以将该回收槽内的该处理液排出至一外部端;
一排气装置,连通于该回收槽,并用以对该回收槽进行排气;以及
一冷却液供应单元,连通于该回收槽,并用以供应一冷却液;
其中当该温度监测单元监测到该回收槽内的该处理液温度大于或等于一异常温度值时,该排气装置对该回收槽进行排气,而该冷却液供应单元供应该冷却液至该回收槽内的该处理液,以使该冷却液与该处理液混合成一混合液,该排液管路将该混合液排出至该外部端。
11.如权利要求10所述的基板处理系统,其特征在于,当该温度监测单元监测到该回收槽内该处理液的温度不大于或等于该异常温度值时,该排气装置以一第一排气量来排气;
当该温度监测单元监测到该回收槽内该处理液的温度大于或等于该异常温度值时,该排气装置以一第二排气量来排气,其中该第二排气量大于该第一排气量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造