[实用新型]薄膜晶体管结构及像素结构有效
| 申请号： | 201821990105.6 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209249464U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 尤彦文;许翼材;王文哲;张原豪;王文铨;张少伦 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属垫 半导体垫 薄膜晶体管结构 半导体通道层 栅极绝缘层 本实用新型 相对两侧 像素结构 漏极 源极 影响显示品质 后续工艺 偏移 间隙物 滑落 组立 覆盖 | ||
1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包含：
栅极；
第一金属垫和第二金属垫，分别位于所述栅极的相对两侧；
栅极绝缘层，覆盖所述栅极、所述第一金属垫和所述第二金属垫；
半导体通道层，设置于所述栅极和所述栅极绝缘层上方；
第一半导体垫和第二半导体垫，分别位于所述半导体通道层的相对两侧且分别位于所述第一金属垫和所述第二金属垫上；
源极和漏极，设置于所述半导体通道层上；以及
第三金属垫和第四金属垫，分别设置于所述第一半导体垫和所述第二半导体垫上。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一金属垫、所述第二金属垫和所述栅极位于同一平面。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一半导体垫、所述第二半导体垫和所述半导体通道层位于同一平面。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第三金属垫、所述第四金属垫和所述漏极位于同一平面。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述栅极与所述第一金属垫之间相隔第一距离，且所述栅极与所述第二金属垫之间相隔第二距离，其中所述第一距离为1.5微米至4微米，且所述第二距离为1.5微米至4微米。
6.一种像素结构，其特征在于，包含：
主动阵列基板，包含至少一个如权利要求1所述的薄膜晶体管结构；
对向基板，与所述主动阵列基板相对设置；以及
至少一个间隙物，夹置于所述主动阵列基板与所述对向基板之间，且位于所述半导体通道层上。
7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述主动阵列基板还包含数据线连接所述源极，且所述数据线沿第一方向延伸并覆盖部分的所述第一半导体垫和部分的所述第二半导体垫。
8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述第三金属垫和所述第四金属垫位于所述数据线的同一侧。
9.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包含液晶层位于所述主动阵列基板与所述对向基板之间。
10.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述主动阵列基板还包含像素电极电性连接所述漏极。
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