[实用新型]一种上镀膜载板有效
| 申请号: | 201821983942.6 | 申请日: | 2018-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN209071290U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
| 发明(设计)人: | 周桂宏 | 申请(专利权)人: | 南京仁厚科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 郭斌莉 |
| 地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 挡板 镀膜 载板 容纳空间 承接槽 承接台 流通口 太阳能电池片 本实用新型 背面边缘 气压差异 外界环境 颜色差异 单侧面 容纳槽 下端面 小腔体 减小 膜层 腔体 遮挡 装载 承载 隔离 容纳 | ||
本实用新型涉及太阳能电池片技术领域,具体而言,涉及一种上镀膜载板。本实用新型的实施例中提供的上镀膜载板,其包括用于装载硅片的框架以及用于遮挡硅片单侧面的挡板。框架具备有容纳空间,容纳空间内设置有承接台,承接台形成用于承载硅片的承接槽。挡板连接于框架远离承接槽一侧,挡板与框架形成具备有流通口的腔体。在框架底部设置有挡板,也即可以使容纳硅片的容纳槽的下方形成一个局部的小腔体,使硅片的下端面与外界形成隔离,进而减少外界环境的影响,同时,设置流通口,可减小硅片上下气压差异,使载板的背面边缘位置和中心位置镀上相同厚度的膜层,进而避免颜色差异。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片技术领域,具体而言,涉及一种上镀膜载板。
背景技术
载板作为太阳能电池片镀膜工序中,装载电池片进入镀膜设备的一个装载用具,其材料由碳碳复合材料和石墨材料组成;如图1所示,图1展示现有技术中的其中一种规格的载板,根据载板的规格的不同,工作时每个框格内放置太阳能电池硅片,进入镀膜设备镀膜。图2为图1的局部剖视图,如图2所示,载板装载硅片由输送设备输送至设备工艺腔内,工艺腔封闭,输送过程需要进入多个不同的工艺腔,分别有不同的工艺条件,如温度不同,真空度不同,镀膜反应气体不同等;镀膜工艺完成后,输出工艺腔,取出硅片,再次装载新的硅片循环使用。现有载板在使用过程中,当硅片是单面镀膜,例如上镀膜,即进入工艺腔体后,镀膜气体产生的镀膜工艺环境位于载板的上方,上下腔体气压差异,会使载板的背面边缘位置和中心位置也镀上不同厚度的膜层,这个不同厚度的膜层在后道工序中会有比较明显的颜色差异体现出来。
实用新型内容
为解决现有技术中的上述问题,本实用新型的目的在于提供一种上镀膜载板。
本实用新型的实施例是这样实现的:
一种上镀膜载板,其包括用于装载硅片的框架以及用于遮挡硅片单侧面的挡板。所述框架具备有容纳空间,所述容纳空间内设置有承接台,所述承接台形成用于承载硅片的承接槽。所述挡板连接于所述框架远离所述承接槽一侧,所述挡板与所述框架形成具备有流通口的腔体。
本实用新型的实施例中提供的上镀膜载板,其包括用于装载硅片的框架以及用于遮挡硅片单侧面的挡板。所述框架具备有容纳空间,所述容纳空间内设置有承接台,所述承接台形成用于承载硅片的承接槽。所述挡板连接于所述框架远离所述承接槽一侧,所述挡板与所述框架形成具备有流通口的腔体。在框架底部设置有挡板,也即可以使容纳硅片的容纳槽的下方形成一个局部的小腔体,使硅片的下端面与外界形成隔离,进而减少外界环境的影响,同时,设置流通口,可减小硅片上下气压差异,使载板的背面边缘位置和中心位置镀上相同厚度的膜层,进而避免颜色差异。
在本实用新型的一个实施例中:
所述挡板包括底板以及环设于底板的边框;所述边框可拆卸地连接于所述底板。
在本实用新型的一个实施例中:
所述边框的高度设置为3mm至10mm。
在本实用新型的一个实施例中:
所述边框的高度设置为6mm。
在本实用新型的一个实施例中:
所述底板的厚度设置为1mm至3mm。
在本实用新型的一个实施例中:
所述挡板通过固定螺钉可拆卸地连接于所述框架,所述固定螺钉贯穿所述框架、所述边框以及所述底板。
在本实用新型的一个实施例中:
所述边框包括第一边板以及第二边板,所述第一边板沿着第一预设方向连接于所述框架,所述第二边板沿着第二预设方向连接于所述框架,所述第一预设方向与所述第二预设方向垂直。
在本实用新型的一个实施例中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





