[实用新型]一种上镀膜载板有效
| 申请号： | 201821983942.6 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN209071290U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 周桂宏 | 申请（专利权）人： | 南京仁厚科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 郭斌莉 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 挡板 镀膜 载板 容纳空间 承接槽 承接台 流通口 太阳能电池片 本实用新型 背面边缘 气压差异 外界环境 颜色差异 单侧面 容纳槽 下端面 小腔体 减小 膜层 腔体 遮挡 装载 承载 隔离 容纳 | ||
1.一种上镀膜载板，其特征在于，所述上镀膜载板包括：
用于装载硅片的框架，所述框架具备有容纳空间，所述容纳空间内设置有承接台，所述承接台形成用于承载硅片的承接槽；
用于遮挡硅片单侧面的挡板，所述挡板连接于所述框架远离所述承接槽一侧，所述挡板与所述框架形成具备有流通口的腔体。
2.根据权利要求1所述的上镀膜载板，其特征在于，所述挡板包括底板以及环设于底板的边框；所述边框可拆卸地连接于所述底板。
3.根据权利要求2所述的上镀膜载板，其特征在于，所述边框的高度设置为3mm至10mm。
4.根据权利要求3所述的上镀膜载板，其特征在于，所述边框的高度设置为6mm。
5.根据权利要求2所述的上镀膜载板，其特征在于，所述底板的厚度设置为1mm至3mm。
6.根据权利要求2所述的上镀膜载板，其特征在于，所述边框通过固定螺钉可拆卸地连接于所述框架，所述固定螺钉贯穿所述框架、所述边框以及所述底板。
7.根据权利要求2所述的上镀膜载板，其特征在于，所述挡板包括第一边板以及第二边板，所述第一边板沿着第一预设方向连接于所述框架，所述第二边板沿着第二预设方向连接于所述框架，所述第一预设方向与所述第二预设方向垂直。
8.根据权利要求7所述的上镀膜载板，其特征在于，所述第二边板包括至少两个间隔设置的段板，相邻所述段板形成所述流通口。
9.根据权利要求1所述的上镀膜载板，其特征在于，所述挡板包括底面板以及环设于所述底面板的侧面板，所述侧面板与所述底面板一体成型；所述侧面板与所述框架可拆卸地连接。
10.根据权利要求9所述的上镀膜载板，其特征在于，所述流通口设置于所述侧面板，所述流通口设置为圆形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
