[实用新型]常压式化学气相沉积机底板刻蚀装置

说明书

本实用新型涉及一种常压式化学气相沉积机底板刻蚀装置。它包括用于放置晶圆的底板，底板之上有下盖，下盖的口部朝下且呈密封状罩在底板的边沿上。下盖的盖顶上有进、出口，所述进、出口分别位于邻近下盖一对相对边的盖顶上。其特点是:下盖之上有上盖，上盖的口部四周呈紧密状压在下盖的盖顶边沿上。上盖的盖顶上有第一、第二孔，第一孔内有进液管，进液管下端与所述进口相连，进液管上端有盛装氢氟酸的容器，所述容器通过开关与进液管连通。第二孔内有排气管，排气管下端与出口相连，排气管上端穿过第二孔后伸出在上盖之外并连有抽风机。采用本实用新型，可提高生产效率，降低生产成本。可用来除去底板上的二氧化硅膜。

技术领域

本实用新型涉及一种二氧化硅膜刻蚀装置。具体说，是用液态氢氟酸直接与常压式化学气相沉积机底板带有二氧化硅膜的一面相接触，用来除去底板上二氧化硅膜的装置。

背景技术

在半导体晶圆生产行业，需要使用常压式化学气相沉积机在半导体晶圆表面沉积一层二氧化硅膜。而要在半导体晶圆表面沉积二氧化硅膜，就需要将半导体晶圆置于常压式化学气相沉积机的底板上。具体的沉积过程是，在半导体晶圆被加热状态下，利用氧气和硅烷等气体在半导体晶圆表面发生化学反应，从而在半导体晶圆表面生成一层二氧化硅膜。在此反应过程中，不仅在半导体晶圆表面生成了一层二氧化硅膜，在常压式化学气相沉积机的底板上不放置半导体晶圆的区域也生成了一层二氧化硅膜。随着时间的增加，底板上不放置半导体晶圆的区域的二氧化硅膜会越积越厚，进而堵塞底板上的小孔，影响半导体晶圆的产品质量。为解决这一问题，就必须定期对底板上的二氧化硅膜进行清除。

目前，用来清除底板上二氧化硅膜的设备都是传统设备。这种传统设备含有用于放置晶圆的底板、瓶子和气管，底板上设置有下盖，下盖的口部朝下且呈密封状罩在底板的边沿上，由底板和下盖构成容纳氢氟酸蒸气的腔体。下盖的盖顶上加工有进口和出口，所述进口和出口分别位于邻近下盖盖顶的两头。所述瓶子的内部加工有通孔，所述瓶子的口部通过气管和下盖上的进口与所述腔体相连通。所述瓶子内灌装有液态氢氟酸。工作时，通过一个气管和瓶子内部的通孔向瓶子内通入氮气，使氮气穿过瓶子内的液态氢氟酸，由液态氢氟酸产生鼓泡，从而通过另一个气管将携带有氢氟酸的氮气送入腔体。携带有氢氟酸的氮气进入腔体后与所述底板上的二氧化硅膜发生化学反应，从而实现对底板上的二氧化硅膜的清除。由于这种装置是利用携带有氢氟酸的氮气与二氧化硅膜间的化学反应来达到清除底板上的二氧化硅膜的目的，据统计，每清除一次，需要36小时、1升液态氢氟酸，不仅用时多、效率低，而且使用的液态氢氟酸多、生产成本高。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题是提供一种常压式化学气相沉积机底板刻蚀装置。采用这种装置来刻蚀常压式化学气相沉积机底板上的二氧化硅膜，可提高生产效率，降低生产成本。

本实用新型要解决的上述问题由以下技术方案实现：

本实用新型的常压式化学气相沉积机底板刻蚀装置，包括用于放置晶圆的底板，底板之上有下盖，下盖的口部朝下且呈密封状罩在底板的边沿上，由底板和下盖构成容纳氢氟酸的腔体。下盖的盖顶上有进口和出口，所述进口和出口分别位于邻近下盖一对相对边的盖顶上。其特点是:下盖之上有上盖，上盖的口部四周呈紧密状压在下盖的盖顶边沿上。所述上盖的盖顶上有第一孔和第二孔，第一孔内有进液管，进液管下端与所述进口相连，进液管上端有盛装氢氟酸的容器，所述容器通过开关与进液管连通。第二孔内有排气管，排气管下端与出口相连，排气管上端穿过第二孔后伸出在上盖之外并连有抽风机。

所述底板、下罩的口部及盖顶、上罩口部及盖顶均为面积相同的长方形，所述进口和出口分别位于下盖的盖顶两头，所述第一孔和第二孔分别位于上盖的盖顶两头。

所述容器是耐氢氟酸的透明瓶。

所述排气管是耐氢氟酸材质制成的管。

下盖的盖顶上有第一把手，上盖的盖顶上有第二把手。