[实用新型]具有高崩溃电压的化合物半导体装置

说明书

一种具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于，衬底层；缓冲层，形成于所述衬底层上；主动层，形成于缓冲层上，所述主动层包括，源极欧姆接触区，形成于主动层的一侧边上；漏极欧姆接触区，形成于相对源极欧姆接触区的另一侧边，其中，漏极欧姆接触区是形成在主动层上的纵向突起部；栅极区，形成于所述源极欧姆接触区及所述漏极欧姆接触区之间的主动层上。因此，在栅极靠漏极端的电场便能有效降低，装置的崩溃电压便能提升。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体技术领域，特别是有关于一种具有高崩溃电压的化合物半导体放大器装置。

背景技术

高功率三五族装置对于未来车用，电源供应器甚至军事上的应用，随着材料上的优势已越来越显其重要性。但是对于这类装置，一个重要的课题是如何有效降低崩溃电压(VBD)，使得装置能够符合更高压的需求。传统做法不外乎是设计场板(field plate)，或是将栅极(Gate)与漏极(Drain) 的距离(Lgd)拉得更远，但是前者需要更多道的制程，后者则是会牺牲电性以及装置尺寸的大小。

简介旧制程如下，传统三五族的装置，在栅极(Gate)上方会制作场板 500(fieldplate)的结构，材料大部分是用金来制作。如图6所示，在漏极201(Drain)端操作高电压(VDD)的时候，来自漏极201端的电力线 (electrical line)2101会增强，通常栅极靠漏极端的电场(electrical field)会提高，增加电流崩溃的可能，场板500的用途，在于可吸收来自漏极部分的电力线2101，可有效降低栅极靠漏极端的电场，提高装置的崩溃电压(VBD)。但是现今越来越多更高压需求的应用出现，像是车用，传统场板 500的效果已不符合需求。

实用新型内容

为了改善现有技术的缺失，本实用新型的目的是提供一种具有高崩溃电压的化合物半导体装置，可以提高化合物半导体装置的崩溃电压。

为达上述目的，本实用新型的一种具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于，衬底层；缓冲层，形成于衬底层上；主动层，形成于缓冲层上，主动层包括，源极欧姆接触区，形成于主动层的侧边上；漏极欧姆接触区，形成于相对源极欧姆接触区的另一侧边，其中，漏极欧姆接触区是形成在一个突起的主动层上；栅极区，形成于源极欧姆接触区及漏极欧姆接触区之间的主动层上。

基于上述，本实用新型的主要的结构设计在于把漏极(Drain)区给往上(即纵向的Y方向)拉高，使得漏极到通道的地方有个纵向(Y方向)的延伸区，这个延伸区的目的是为了削弱电力线的部分，可以看到由于电力线要多走一段路，所以强度会增弱，因此，在栅极靠漏极端的电场便能有效降低，装置的崩溃电压便能提升。

此外，由于在高压的操作环境下，漏极端的阻值并不是很重要，因此，本实用新型的新结构并不会对装置的整体阻抗有明显的影响。

附图说明

图1是本实用新型所述具有高崩溃电压的化合物半导体装置的外延层示意图。

图2A-2H是本实用新型所述具有高崩溃电压的化合物半导体装置的突起主动层形成过程的剖面示意图。

图3A-3E是本实用新型所述具有高崩溃电压的化合物半导体装置的栅极、源极及漏极形成过程的剖面示意图。

图4A-4E是本实用新型所述具有高崩溃电压的化合物半导体装置的第一实施例的剖面示意图。

图5A-5C是本实用新型所述具有高崩溃电压的化合物半导体装置的第二实施例的剖面示意图。

图6是先前技术的剖面示意图。

具体实施方式