[实用新型]具有高崩溃电压的化合物半导体装置有效
| 申请号： | 201821958118.5 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN209199932U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/20;H01L29/772 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆接触区 主动层 漏极 源极 化合物半导体装置 高崩溃电压 衬底层 缓冲层 崩溃电压 纵向突起 电场 漏极端 栅极区 | ||
1.一种具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于，
衬底层；
缓冲层，形成于所述衬底层上；
主动层，形成于所述缓冲层上，所述主动层包括，
源极欧姆接触区，形成于所述主动层的侧边上；
漏极欧姆接触区，形成于相对所述源极欧姆接触区的另一侧边，其中，所述漏极欧姆接触区是形成在主动层上的纵向突起部；
栅极区，形成于所述源极欧姆接触区及所述漏极欧姆接触区之间的所述主动层上。
2.如权利要求1所述之具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于所述纵向突起部的高度为20～300nm。
3.如权利要求1所述之具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于所述衬底层的材料为硅。
4.如权利要求1所述之具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于所述缓冲层包括氮化铝镓层。
5.如权利要求1所述之具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于所述主动层包括至少一个氮化镓层。
6.如权利要求5所述之具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于所述纵向突起部的材质为氮化镓。
7.如权利要求1所述之具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于一层绝缘层覆盖于所述主动层上，并暴露出所述源极欧姆接触区及所述漏极欧姆接触区。
8.如权利要求7所述之具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于，进一步具有一层层间介质材料于所述绝缘层上，并暴露出所述源极欧姆接触区及所述漏极欧姆接触区。
9.如权利要求7所述之具有高崩溃电压的化合物半导体装置，其特征在于，进一步于所述源极欧姆接触区及所述漏极欧姆接触区上具有一层金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷苙科技股份有限公司，未经捷苙科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821958118.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种OLED显示面板和显示装置
- 下一篇：具有电极的半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
