[实用新型]阵列比吸收率测试设备的校准系统有效
| 申请号： | 201821953291.6 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN209486278U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 齐殿元;赵竞;余纵瀛;林军 | 申请（专利权）人： | 中国信息通信研究院 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 比吸收率测试 偶极子天线 场强 信号源装置 电磁波信号 电场 校准系统 本实用新型 射频接口 设备连接 校准因子 校准 预设 测量 | ||
1.一种阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，包括：信号源装置、偶极子天线和待测阵列比吸收率测试设备；
其中，所述信号源装置与所述偶极子天线的射频接口连接，所述偶极子天线与所述待测阵列比吸收率测试设备连接；
所述信号源装置用于：产生电磁波信号；
所述偶极子天线用于：根据所述电磁波信号产生电场；
所述待测阵列比吸收率测试设备用于：测量所述偶极子天线产生电场的场强值，所述场强值用来与预设场强值进行比较确定校准因子。
2.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述偶极子天线包括多个定制型号的偶极子天线。
3.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述偶极子天线为多个Z轴偶极子天线。
4.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述偶极子天线为多个定制型号的偶极子天线和多个Z轴偶极子天线。
5.如权利要求4所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述多个定制型号的偶极子天线的型号为CA900V3、CL900B、CA1750V2、CA2450V2、CA5500V3中的多个；
所述多个Z轴偶极子天线的型号为Z12、Z22、Z32中的多个。
6.如权利要求2或4所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述信号源装置包括信号发生器、功率放大器和耦合器，其中，所述信号发生器与所述功率放大器的输入端连接，所述功率放大器的输出端与所述耦合器的输入端连接，所述耦合器的输出端与所述偶极子天线连接；
所述信号发生器用于：产生电磁波信号；
所述功率放大器用于：对电磁波信号的功率进行放大处理；
所述耦合器用于：对经过功率放大处理的电磁波信号在前向端口和反向端口进行监控，获得偏差数据，所述偏差数据用于校准因子的计算。
7.如权利要求6所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述信号源装置还包括两个功率计，其中第一功率计与所述耦合器的前向端口连接，第二功率计与所述耦合器的反向端口连接；
所述第一功率计用于：记录所述电磁波信号在耦合器前向端口的实际功率；
所述第二功率计用于：记录所述电磁波信号在耦合器反向端口的实际功率。
8.如权利要求7所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述信号源装置还包括第一衰减器和第二衰减器，所述第一衰减器位于所述第一功率计与所述耦合器的前向端口之间，所述第二衰减器位于所述第二功率计与所述耦合器的反向端口之间
所述第一衰减器用于：防止所述第一功率计被超量程输入功率损毁；
所述第二衰减器用于：防止所述第二功率计被超量程输入功率损毁。
9.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，所述信号源装置容置于一机柜内。
10.如权利要求1所述的阵列比吸收率测试设备的校准系统，其特征在于，还包括：机械臂，所述偶极子天线安装在所述机械臂上；
所述机械臂用于：在校准时将所述偶极子天线移动到所述待测阵列比吸收率测试设备的上方的具体位置。
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