[实用新型]一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架

说明书

本实用新型属于电子封装用引线框架冲压生产领域，尤其涉及一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架，包括晶片座以及设置在晶片座下部的外引脚，其特征在于，所述晶片座上设置有固定孔，所述固定孔的下部为DIE PAD，所述DIE PAD上设置有晶片，所述晶片与DIE PAD之间通过锡膏连接设置，所述DIE PAD的表面粗糙度为Ra0.05‑0.3，所述晶片的外侧设置有用于连接晶片和外引脚的金线，所述DIE PAD上设置有至少一个附着异形孔，本实用新型技术，通过在高功率电晶体导线架DIE PAD表面粗化，使其点锡制程中，DIE PAD与锡膏的焊接粘合更紧密，从而提高产品的合格率和点锡的稳固性，其中附着异形孔的设计更能提高上述效果。

技术领域

本实用新型属于电子封装用引线框架冲压生产领域，尤其涉及一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架。

背景技术

随着科技的进步，大功率电子产品需求日益增加，市场对引线框架需求越来越多，不过现阶段的电晶体的与DIE PAD的连接效果是比较差的，粘合不够紧密，增加产品不良率，导致工作稳定性差。

实用新型内容

本实用新型针对上述的问题，提供了一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为，本实用新型提供一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架，包括晶片座以及设置在晶片座下部的外引脚，所述晶片座上设置有固定孔，所述固定孔的下部为DIE PAD，所述DIE PAD上设置有晶片，所述晶片与DIE PAD之间通过锡膏连接设置，所述DIE PAD的表面粗糙度为Ra0.05-0.3，所述晶片的外侧设置有用于连接晶片和外引脚的金线。

作为优选，所述DIE PAD上设置有至少一个附着异形孔。

作为优选，所述附着异形孔包括设置在DIE PAD表面上的圆柱槽以及设置在DIEPAD内侧与圆柱孔连通设置的锥形槽。

作为优选，所述锥形槽的底面直径大于圆柱槽的底面直径。

作为优选，所述附着异形孔均匀的设置在DIE PAD表面上。

与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果在于，

1、本实用新型技术，通过在高功率电晶体导线架DIE PAD表面粗化，使其点锡制程中，DIE PAD与锡膏的焊接粘合更紧密，从而提高产品的合格率和点锡的稳固性，其中附着异形孔的设计更能提高上述效果。

2、此次产品的创新极具实用性，修改简单易实现，且完全符合客户的要求，为公司带来大量客户，具有广泛的应用价值，可以大力推广。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为实施例1提供的一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架的侧视图；

图2为实施例1提供的一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架(部分)的主视图；

图3为实施例1提供的一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架(部分)的侧视图；

图4为实施例1提供的DIE PAD部分的主视图；

图5为图4中一排附着异形孔的剖面图；

以上各图中，1、晶片座；11、固定孔；12、DIE PAD；121、附着异形孔；1211、圆柱槽；1212、锥形槽；2、外引脚；3、晶片；4、金线；5、锡膏。