[实用新型]一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架有效
| 申请号： | 201821939534.0 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN208819872U | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘海;刘成硕 | 申请（专利权）人： | 济南界龙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙) 37278 | 代理人： | 庞庆芳 |
| 地址： | 251400 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 表面粗化 导线架 电晶体 高功率 晶片座 本实用新型 固定孔 外引脚 异形孔 附着 锡膏 表面粗糙度 电子封装 连接设置 外侧设置 引线框架 稳固性 冲压 粘合 金线 锡制 焊接 合格率 | ||
【权利要求书】：
1.一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架，包括晶片座以及设置在晶片座下部的外引脚，其特征在于，所述晶片座上设置有固定孔，所述固定孔的下部为DIE PAD，所述DIE PAD上设置有晶片，所述晶片与DIE PAD之间通过锡膏连接设置，所述DIE PAD的表面粗糙度为Ra0.05-0.3，所述晶片的外侧设置有用于连接晶片和外引脚的金线。
2.根据权利要求1所述的一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架，其特征在于，所述DIE PAD上设置有至少一个附着异形孔。
3.根据权利要求2所述的一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架，其特征在于，所述附着异形孔包括设置在DIE PAD表面上的圆柱槽以及设置在DIE PAD内侧与圆柱孔连通设置的锥形槽。
4.根据权利要求3所述的一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架，其特征在于，所述锥形槽的底面直径大于圆柱槽的底面直径。
5.根据权利要求4所述的一种DIE PAD表面粗化的新型高功率电晶体导线架，其特征在于，所述附着异形孔均匀的设置在DIE PAD表面上。
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