[实用新型]一种籽晶托

说明书

本实用新型提供一种籽晶托，涉及晶体制备技术领域。一种籽晶托，主要用于夹持籽晶，该籽晶托能够提高籽晶上获得的晶体的质量。该籽晶托主要包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽。籽晶夹持好以后，即位于该籽晶夹持槽内。籽晶固定后位于底座与夹持组件之间，且籽晶远离底座的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔。籽晶靠近底座的一侧能从底座露出，以便于晶体生长。当带有籽晶的籽晶托放入坩埚内后，由于籽晶托的夹持、固定作用，籽晶不会与坩埚直接接触。由于籽晶与籽晶托的直接接触面积较小，籽晶也不与坩埚直接接触，使得获得的晶体各部分质量更为均一，获得的晶体的开裂几率更小。

技术领域

本实用新型涉及晶体制备技术领域，具体而言，涉及一种籽晶托。

背景技术

气相晶体生长法是一种常用的晶体生长法，在ZnO、ZnSe、CdS等多种II-VI族化合物半导体单晶的生长中有重要应用。该方法通过加热使生长原料气化，利用温度场和气流将气相组分输运到坩埚低温端进行晶体生长。利用这种方法生长出的单晶体成分均一性、纯度和结晶质量较好，适合制作高品质的光电子器件。

在气相晶体生长法中，往往在晶体生长区加入籽晶以提高单晶生长的成晶率。即在坩埚中晶体生长区域预先放置具有一定形状的单晶体做为籽晶，使源区物质气相输运到籽晶表面外延生长出新的单晶体。在籽晶气相生长法中，籽晶在坩埚中的放置和固定状态是籽晶气相法的关键技术要点，极大的影响获得的晶体的质量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种籽晶托，在籽晶气相生长法中，该籽晶托能够提高所获得的晶体的质量。

本实用新型的实施例是这样实现的：

一种籽晶托，用于夹持籽晶，其包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽，籽晶位于底座与夹持组件之间，且籽晶远离底座的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔，籽晶靠近底座的一侧能从底座露出。

在本实用新型的一种实施例中，底座与夹持组件通过二氧化硅层键合连接。

在本实用新型的一种实施例中，底座设有第一通孔，部分籽晶能从第一通孔露出。

在本实用新型的一种实施例中，夹持组件包括相互连接的第一固定件和第二固定件，第一固定件设有用于容纳籽晶的第二通孔，第一固定件与底座通过二氧化硅层键合连接。

在本实用新型的一种实施例中，第一固定件远离底座的一侧与第二固定件通过二氧化硅层键合连接。

在本实用新型的一种实施例中，第二固定件包括相互连接的支撑件和连接件，连接件设有第三通孔使得籽晶与支撑件之间能共同限定形成空腔。

在本实用新型的一种实施例中，支撑件的一侧与连接件通过二氧化硅层键合连接，支撑件的另一侧与第一固定件通过二氧化硅层键合连接。

在本实用新型的一种实施例中，底座、第一固定件、连接件、支撑件为硅片或石英片。

在本实用新型的一种实施例中，第一通孔、第三通孔的直径均为10-55毫米，底座、连接件的厚度均为0.4-1毫米，第一固定件的厚度为0.4-2.5毫米，支撑件的厚度为0.4-1毫米。

在本实用新型的一种实施例中，通过二氧化硅层键合连接形成的键合层的厚度均为0.2-4微米。

本实用新型实施例至少具有如下优点或有益效果：

本实用新型实施例提供一种籽晶托，其主要用于夹持籽晶，由于夹持位置合适，该籽晶托能够提高籽晶上获得的晶体的质量(即品质)。该籽晶托主要包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽。籽晶夹持好以后，即位于该籽晶夹持槽内。