[实用新型]一种半导体晶圆贴片装置有效
申请号: | 201821876510.5 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN208806231U | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 叶鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市力明恒电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 | 代理人: | 徐永雷 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热风管道 活动转轴 活动板架 贴合槽 半导体晶圆 晶圆 本实用新型 承载结构 贴片装置 热风管 胶膜 上盖 压合 方向移动 活动连接 开口相对 空腔相通 上下移动 内连接 平整度 压合板 密闭 热风 侧壁 固化 空腔 贴片 连通 开口 | ||
本实用新型公开了一种半导体晶圆贴片装置,包括机架以及与机架连接的活动转轴和热风管,活动转轴上设有活动板架,活动转轴与活动板架活动连接,活动板架可在活动转轴上下移动,活动板架上设有贴合槽,贴合槽内放置半导体晶圆和晶圆承载结构,活动转轴的末端设有上盖,活动转轴与贴合槽形成密闭的空腔,上盖内连接压合板,热风管内设有第一热风管道,贴合槽的侧壁上设有第二热风管道,第一热风管道的开口与第二热风管道的开口相对设置,在活动板架向上盖的方向移动时,第一热风管道与第二热风管道连通,第二热风管道与空腔相通。本实用新型在压合的同时通过往晶圆承载结构和晶圆之间的胶膜通入热风,加速胶膜固化,提高压合平整度和贴片效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体生产技术领域,尤其是一种半导体晶圆贴片装置。
背景技术
晶圆是生产集成电路所用的载体,由于其形状为圆形,故由此而得名,又被称为晶片或圆片。在集成电路制造过程中,需要在晶圆上进行数百道工艺,因此,必须采用具有一定厚度的晶圆。而在完成集成电路制作之后,需要对集成电路进行封装。在集成电路封装前,需要对晶圆的进行减薄。随着晶圆的尺寸越来越大,减薄过程中极易造成晶圆易破碎或翘曲,为了解决晶圆减薄过程中的易破碎或翘曲的问题,一般将需要减薄的晶圆粘附到另一块晶圆承载结构上,在完成减薄及后续工艺过程后再将晶圆取下,晶圆承载结构一般为硅片或玻璃等,然而对晶圆承载结构和晶圆之间的胶膜压合的平整度不易控制。
实用新型内容
针对上述缺陷,本实用新型解决的技术问题在于提供一种半导体晶圆贴片装置,在压合的同时通过往晶圆承载结构和晶圆之间的胶膜通入热风,加速胶膜固化,提高胶膜均匀度和贴片效率,从而使晶圆承载结构和晶圆压合更加平整。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为:一种半导体晶圆贴片装置,包括机架以及与所述机架连接的活动转轴和热风管,所述活动转轴上设有活动板架,所述活动转轴与所述活动板架活动连接,所述活动板架可在所述活动转轴上下移动,所述活动板架上设有贴合槽,所述贴合槽内放置半导体晶圆和晶圆承载结构,所述活动转轴的末端设有上盖,所述活动转轴与所述贴合槽形成密闭的空腔,所述上盖内连接压合板,所述热风管内设有第一热风管道,所述贴合槽的侧壁上设有第二热风管道,所述第一热风管道的开口与所述第二热风管道的开口相对设置,在所述活动板架向所述上盖的方向移动时,所述第一热风管道与所述第二热风管道连通,所述第二热风管道与所述空腔相通。
作为上述技术方案的进一步改进,所述晶圆承载结构和所述晶圆之间设有胶膜,所述活动转轴与所述活动板架通过螺纹连接,所述上盖与所述压合板通过弹簧连接。
作为上述技术方案的进一步改进,所述活动板架设有通孔,所述热风管从所述通孔中穿过。
作为上述技术方案的进一步改进,所述上盖的边缘设有向下的凸起,所述凸起的边缘为齿状,所述贴合槽的侧壁上设有与所述凸起适应的凹槽,在所述活动板架向所述上盖的方向移动时,所述凸起与所述凹槽相互咬合停止转动。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:1、在压合的同时通过往密闭空腔中通入热风,使晶圆承载结构和晶圆之间的胶膜加速胶膜固化,提高胶膜均匀度和贴片效率,从而使晶圆承载结构和晶圆压合更加平整。
2、可以通过改变弹簧的弹性来改变压合的松紧程度。
附图说明
图1为本实用新型的一种半导体晶圆贴片装置的结构示意图;
图2为本实用新型的一种半导体晶圆贴片装置的处于压合状态的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造