[实用新型]堆叠结构及半导体封装结构有效
| 申请号: | 201821863318.2 | 申请日: | 2018-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN209087836U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 堆叠结构 芯片 基板 半导体封装结构 多层芯片 打线 打线位置 堆栈封装 基板成本 基板制作 电连接 芯片叠 错开 堆栈 良率 制作 | ||
1.一种堆叠结构,其特征在于,所述堆叠结构包括:
基板;以及
多个第一芯片,叠置于所述基板上;
其中,多个所述第一芯片的其中任意两者的一部分重叠,另一部分旋转错开,且多个所述第一芯片通过第一引线电连接至所述基板。
2.根据权利要求1所述的堆叠结构,其特征在于,每个所述第一芯片的打线区设于所述第一芯片的底面,且任一所述第一芯片的打线区在所述基板上的正投影与各其他所述第一芯片在所述基板上的正投影不重合,所述第一引线电连接于所述第一芯片的打线区与所述基板之间。
3.根据权利要求2所述的堆叠结构,其特征在于,所述基板开设有多个通槽,多个所述通槽分别对应开设于多个所述第一芯片的打线区下方,所述第一引线一端电连接于所述第一芯片的打线区,另一端穿过位置相对应的所述通槽并电连接于所述基板底面。
4.根据权利要求2所述的堆叠结构,其特征在于,所述堆叠结构还包括至少一个第二芯片,至少一个所述第二芯片叠置于最上方的所述第一芯片上,每个所述第二芯片的打线区设于所述第二芯片的顶面,且任一所述第二芯片的打线区在所述基板上的正投影与各其他所述第二芯片在所述基板上的正投影不重合,且所述第二芯片通过第二引线电连接至所述基板顶面。
5.根据权利要求4所述的堆叠结构,其特征在于,所述堆叠结构包括多个所述第二芯片,多个所述第二芯片由下至上沿排列方向依次部分错开,多个所述第二芯片的打线区在所述基板上的正投影沿该排列方向间隔分布。
6.根据权利要求5所述的堆叠结构,其特征在于,每个所述第二芯片在该排列方向上具有第一端和第二端,各所述第二芯片通过依次部分错开的布置形式而显露出各第一端;其中,最上方的所述第二芯片的打线区位于其第二端的顶面,其余所述第二芯片的打线区均位于各自的第一端的顶面。
7.根据权利要求4所述的堆叠结构,其特征在于,每个所述第二芯片的底面设有第二胶层,所述第二芯片通过所述第二胶层粘接于其下方的另一所述第二芯片或最上方的所述第一芯片。
8.根据权利要求4所述的堆叠结构,其特征在于,所述堆叠结构还包括保护片以及第三胶层,所述第三胶层设于所述保护片底面,所述保护片通过所述第三胶层粘接于最上方的所述第二芯片上,电连接于该第二芯片的打线区的所述第二引线,一端电连接于打线区,另一端经由所述第三胶层电连接于所述基板的顶面。
9.根据权利要求1所述的堆叠结构,其特征在于,多个所述第一芯片由下至上沿顺时针或逆时针的方向依序旋转错开。
10.根据权利要求9所述的堆叠结构,其特征在于,每两个相邻的所述第一芯片在所述基板上的正投影之间错开的夹角均相等。
11.根据权利要求9所述的堆叠结构,其特征在于,所述芯片封装结构包括四个所述第一芯片,每两个相邻的所述第一芯片在所述基板上的正投影之间错开的夹角均为90°。
12.根据权利要求1所述的堆叠结构,其特征在于,每个所述第一芯片的底面设有第一胶层,所述第一芯片通过所述第一胶层粘接于其下方的另一所述第一芯片或所述基板。
13.一种半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括权利要求1~12任一项所述的堆叠结构。
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