[实用新型]新型多框架复合半导体封装结构

说明书

本实用新型公开了一种新型多框架复合半导体封装结构，包括壳体、金属主外框架、引脚，所述金属主外框架设置在壳体内或部分外露在壳体外，所述金属主外框架上设置有至少一个内框架，在该内框架上设置有电子元件，在该金属主外框架上还设有半导体晶圆，所述金属主外框架上的内框架和半导体晶圆设置在同一平面上。本实用新型在于提供一种多框架，在半导体封装有限空间面积内可以放置更多的元件或半导体晶圆的新型多框架复合半导体封装结构。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及新型多框架复合半导体封装结构。

背景技术

传统的半导体封装基本是单一框架,要么用封装基板,要么用金属框架,面临基岛面积有限,很难装载多晶圆,或者晶圆和器件复合封装产品,特别是需要装载功率半导体晶圆在金属主外框架上,同时还要把带多元件的驱动或控制电路又要复合封装在其中时,电气连接和隔离的,空间面积的有限都让传统的封装结构无法完成。

但是，随着产品的功能和要求越来越多,用户对产品又要求轻薄短小,这种传统的封装结构已经不能放置足够多的晶圆和电路产品，因此需要研发一种复合多框架封装结构,为满足未来新型特别是大功率复合半导体的的需求。

中国专利申请号为201820017640.7，申请日：2018年01月05日，公开日：2018年07月24日，专利名称是：半导体封装体及导线框架条，该实用新型涉及半导体封装体及导线框架条。根据本实用新型一实施例的导线框架条，其包括承载片、散热片以及若干管脚。其中，该承载片具有第一厚度，且具有设置于第一表面上的承载区与设置于第二表面上的散热区，第一表面与第二表面相对；该散热片具有第二厚度，且与该承载片的第一侧连接；若干管脚具有第三厚度，且自承载片的第二侧向外延伸，第一侧与第二侧相对。此外，散热区与若干管脚不直接接触，且第一厚度大于第二厚度以及第三厚度。本实用新型提供的半导体封装体及导线框架条具有厚度较管脚厚的承载片，可以有效地将高功率芯片产生的热量传导到外界，提高了半导体封装体的散热性能。

上述专利文献虽然公开了一种半导体封装体及导线框架条，该半导体封装体虽然提高了散热性能，但是在封装结构上并不能够更多放置电子元件和半导体晶圆，不能满足市场发展的需求。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种多框架，在半导体封装有限空间面积内可以放置更多的元件或半导体晶圆的新型多框架复合半导体封装结构。

为了实现本实用新型目的，可以采取以下技术方案：

一种新型多框架复合半导体封装结构，包括壳体、金属主外框架、引脚，所述金属主外框架设置在壳体内，所述金属主外框架上设置有至少一个内框架，在该内框架上设置有电子元件，在该金属主外框架上还设有半导体晶圆，所述金属主外框架上的内框架和半导体晶圆设置在同一平面上。

所述壳体为胶体材料制成。

所述金属主外框架一部分延伸出所述壳体。

所述金属主外框架为铝制外框架。

所述内框架为2个或3个或5个。

所述所述内框架上元件和半导体晶圆之间有电气连接。

本实用新型的有益效果是：1)本实用新型设置多个内框架，增加了半导体封装体内部空间面积，可以放置更多的半导体晶圆或电子元件，满足了市场发展需求；2)本实用新型内框架可提供电气连接,减少了金属丝打线量,降低了工艺难度和复杂度；3)本实用新型提高了空间使用率，增加了电子元件的放置数量，符合半导体封装未来发展的需要，适于广泛推广。

附图说明

图1为本实用新型实施例新型多框架复合半导体封装结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例新型多框架复合半导体封装结构的侧面剖视图；