[实用新型]功率器件和电子设备有效
| 申请号： | 201821842503.3 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN209104158U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 杨东林;刘侠;陈文高 | 申请（专利权）人： | 上海昱率科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 体区 功率器件 衬底 电子设备 向下延伸 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率器件，包括：
衬底；
第一外延层，设置于所述衬底上；
第二外延层，设置于所述第一外延层上；
多个第一体区，设置于所述第二外延层中；
多个第二体区，设置于相应第一体区的下方；
其中，所述多个第二体区从所述第二外延层向下延伸到所述第一外延层中，所述多个第二体区的底部位于所述第一外延层中。
2.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二体区为柱状体，且所述第二体区的掺杂浓度小于所述第一体区的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的功率器件，还包括：
多个第三体区，设置于相应第二体区的下方且与第二体区的底部接触。
4.根据权利要求3所述的功率器件，其中，所述第三体区的掺杂浓度小于所述第一体区和第二体区的掺杂浓度。
5.根据权利要求3-4中任一项所述的功率器件，其中，所述第一体区、所述第二体区和所述第三体区均具有第二导电类型。
6.根据权利要求1所述的功率器件，还包括形成在所述第一体区中的第一导电类型的源区和形成在所述衬底中的第一导电类型的漏区。
7.根据权利要求1所述的功率器件，其中，第一外延层和第二外延层均具有第一导电类型，且第一外延层的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度。
8.一种电子设备，包括至少部分地由如权利要求1至7中任一项所述的功率器件形成的集成电路。
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