[实用新型]晶圆清洗装置有效

专利信息
申请号: 201821832815.6 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN208848866U 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 吕慧超;刘家桦;叶日铨 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;陈丽丽
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶圆 晶圆清洗装置 本实用新型 清洗槽 刷头 半导体制造技术 真空吸附作用 边缘接触 晶圆产品 倾斜侧面 清洗结构 清洗装置 生产效率 承载盘 良率 种晶 清洗 承载 侧面
【说明书】:

实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置。所述晶圆清洗装置包括清洗槽,还包括:承载盘,位于所述清洗槽内,用于通过真空吸附作用承载晶圆;清洗结构,包括具有倾斜侧面的刷头,所述刷头的所述侧面用于与所述晶圆的边缘接触,以清洗所述晶圆的边缘。本实用新型在改善晶圆产品良率的同时,也提高了晶圆的生产效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

目前,半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC,其中,每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC发展的过程中,功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加,而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小和更复杂之外,在其上制造IC的晶圆变得越来越大,这就对晶圆的质量要求越来越高。

在晶圆加工过程中,需根据需要去除晶圆表面残留的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层、石英、塑料等污染物,且不破坏晶圆的表面特性。为此,在晶圆的制造过程中需要经过多次清洗步骤。然而,随着特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造过程中湿法清洗工艺的要求越来越高。湿法清洗通常采用化学药液和去离子水作为清洗剂,经过一系列的清洗工艺步骤,以实现对晶圆表面污染物的去除。现有技术中的晶圆湿法清洗分为槽式清洗和单片式清洗。随着对晶圆表面洁净度的要求越来越高,而单片式清洗可以降低清洗过程中的交叉污染、提高成品率,因此,现有的湿法清洗逐渐由传统的槽式清洗向单片式清洗过渡。

但是,现有的晶圆清洗装置,例如型号为DNS SU3200的晶圆清洗装置,在清洗晶圆的过程中采用机械夹具夹持晶圆的边缘,一方面极易造成颗粒物在晶圆边缘的累积,另一方面由于晶圆边缘长时间与机械夹具的摩擦,易导致晶圆边缘缺陷的产生。而且,更为重要的,现有的晶圆清洗装置不能对晶圆的边缘进行清洗,从而进一步加剧了晶圆边缘的缺陷问题,最终导致晶圆生产效率以及晶圆产品质量的下降。

因此,如何改善晶圆清洗效果,提高晶圆产品的质量,是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆清洗装置,用于解决现有的晶圆清洗装置清洗效果较差的问题,以提高晶圆产品的良率。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种晶圆清洗装置,包括清洗槽,还包括:

承载盘,位于所述清洗槽内,用于通过真空吸附作用承载晶圆;

清洗结构,包括具有倾斜侧面的刷头,所述刷头的所述侧面用于与所述晶圆的边缘接触,以清洗所述晶圆的边缘。

优选的,所述承载盘的直径小于所述晶圆,使得所述晶圆的边缘暴露于所述承载盘外部;所述刷头为沙漏型。

优选的,还包括位于所述清洗槽内部的基座以及贯穿所述基座的两个第一喷嘴;所述基座用于支撑所述承载盘并驱动所述承载盘自转;所述第一喷嘴用于向所述晶圆朝向所述基座的表面喷射清洗液;所述承载盘在竖直方向上的投影位于两个所述第一喷嘴之间。

优选的,所述承载盘上具有关于所述承载盘的中心对称分布的多个真空吸附孔。

优选的,所述清洗结构还包括机械手臂;所述机械手臂的末端连接所述刷头,用于驱动所述刷头沿竖直方向和/或水平方向运动。

优选的,所述刷头包括刷体以及嵌套于所述刷体内部的转轴;所述转轴用于驱动所述刷体围绕一轴线自转,所述轴线穿过所述刷体的中心且沿竖直方向延伸。

优选的,所述刷体包括相对分布的顶端、底端以及连接于所述顶端与所述底端之间的所述侧面;所述机械手臂的末端与所述刷体的顶端连接;所述侧面上具有用于清洗所述晶圆边缘的凸起。

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