[实用新型]晶圆清洗装置有效
申请号: | 201821832815.6 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN208848866U | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 吕慧超;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 晶圆清洗装置 本实用新型 清洗槽 刷头 半导体制造技术 真空吸附作用 边缘接触 晶圆产品 倾斜侧面 清洗结构 清洗装置 生产效率 承载盘 良率 种晶 清洗 承载 侧面 | ||
1.一种晶圆清洗装置,包括清洗槽,其特征在于,还包括:
承载盘,位于所述清洗槽内,用于通过真空吸附作用承载晶圆;
清洗结构,包括具有倾斜侧面的刷头,所述刷头的所述侧面用于与所述晶圆的边缘接触,以清洗所述晶圆的边缘。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述承载盘的直径小于所述晶圆,使得所述晶圆的边缘暴露于所述承载盘外部;所述刷头为沙漏型。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括位于所述清洗槽内部的基座以及贯穿所述基座的两个第一喷嘴;所述基座用于支撑所述承载盘并驱动所述承载盘自转;所述第一喷嘴用于向所述晶圆朝向所述基座的表面喷射清洗液;所述承载盘在竖直方向上的投影位于两个所述第一喷嘴之间。
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述承载盘上具有关于所述承载盘的中心对称分布的多个真空吸附孔。
5.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗结构还包括机械手臂;所述机械手臂的末端连接所述刷头,用于驱动所述刷头沿竖直方向和/或水平方向运动。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述刷头包括刷体以及嵌套于所述刷体内部的转轴;所述转轴用于驱动所述刷体围绕一轴线自转,所述轴线穿过所述刷体的中心且沿竖直方向延伸。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述刷体包括相对分布的顶端、底端以及连接于所述顶部与所述底部之间的所述侧面;所述机械手臂的末端与所述刷体的顶端连接;所述侧面上具有用于清洗所述晶圆边缘的凸起。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗结构还包括设置于所述侧面上的第二喷嘴以及位于所述刷体内部的管道,传输至所述管道的清洗液能够经所述第二喷嘴喷出。
9.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述侧面包括对称分布的上侧倾斜面和下侧倾斜面;所述上侧倾斜面的一端连接所述顶端、另一端连接所述下侧倾斜面;所述下侧倾斜面的一端连接所述底端、另一端连接所述上侧倾斜面;所述上侧倾斜面沿竖直方向上的高度大于所述晶圆的厚度。
10.根据权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述上侧倾斜面相对于水平方向的倾斜角度为5°~45°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造