[实用新型]无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构有效
| 申请号: | 201821812574.9 | 申请日: | 2018-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN209087527U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
| 发明(设计)人: | 张鑫;钟列平;徐厚嘉;刘晓辉 | 申请(专利权)人: | 苏州威斯东山电子技术有限公司 |
| 主分类号: | H01F27/25 | 分类号: | H01F27/25;H01F27/26;H01F38/14;H01F41/02;H02J50/10 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 翁德亿 |
| 地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米晶 非晶 粘接剂 无线充电 单体板 离型膜 本实用新型 绝缘胶带 隔磁片 带材 高饱和磁感应 高磁导率 互相错开 拼接间隙 外表面包 相邻单体 逐层叠加 易碎 层堆叠 低功耗 耐振动 下表面 轻薄 后辊 拼接 柔软 机器人 压制 电器 汽车 | ||
本实用新型公开了一种无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构,其主要由非晶纳米晶带材、粘接剂、离型膜和绝缘胶带组成,将非晶纳米晶带材覆上粘接剂后逐层叠加后辊压并覆上离型膜制成非晶纳米晶单体;采用粘接剂将非晶纳米晶单体逐个拼接制成非晶纳米晶单体板;将非晶纳米晶单体板下表面的离型膜撕开后通过粘接剂按照相邻单体板的拼接间隙互相错开的方法进行逐层堆叠并辊压制成非晶纳米晶单体板叠构;最后在整体外表面包覆绝缘胶带即制得成品。本实用新型具有高磁导率、高饱和磁感应强度、低功耗、轻薄柔软、耐振动不易碎等优点,非常适合用于汽车、无人机、机器人等各种电器的无线充电。
技术领域
本实用新型属于无线充电技术领域,具体涉及一种适用于汽车、无人机、机器人等各种电器无线充电的大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构。
背景技术
现如今,无线充电技术已经在急速地渗透进人们的生活当中,特别是在消费电子、医疗电子、工业电子等相关领域具有广泛的应用前景。目前支持无线充电的手机已经越来越普遍,这迈出了电能传输从有线到无线革命的第一步。手机仅仅是无线充电技术的开始,毕竟其功率较低(100-300KHz),随着无线充电技术的深入发展,无线充电必将朝着从近距离到远距离,从小功率朝大功率的方向前进,因此人们对于无线充电的性能要求越来越高,无线充电的市场需求也会越来越大,其技术必将应用到各种各样的电器,这势必带来人类发展史上又一次巨大的革命。
无线充电分为磁感应式、磁共振式、微波等形式。而目前市场的应用多采用磁感应方式,且对象为功率较小的手机,进一步的大功率的电器,比如汽车、无人机、机器人等的应用已经在开发中。而随着各种应用中充电功率的增加,相对应的软磁材料的体积要求将越来越大,铁氧体通过粉料干压成型可以很方便制造块状大体积产品,而非晶纳米晶带材受限于生产工艺,宽度窄且厚度非常薄,增大体积较为困难,因此在目前较大功率无线充电方案中仍然会选择铁氧体作为软磁材料的材料。但是有些业界人士认为相比于铁氧体,非晶纳米晶具有高磁导率、高饱和磁感应强度和低功耗的特性,其在无线充电的应用上具有性能优势,只是现如今需要解决如何制造出大尺寸的非晶纳米晶,以作为大功率无线充电用的软磁材料。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种无线充电用大尺寸非晶纳米晶的叠构,解决了非晶纳米晶的尺寸增大问题,同时尽量减小了因拼接缝隙对产品整体性能造成降低的影响,使非晶纳米晶在较大功率电器的无线充电应用上得以实现。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型通过以下技术方案实现:
一种无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构,包括非晶纳米晶带材、粘接剂、离型膜和绝缘胶带;
若干层所述非晶纳米晶带材通过所述粘接剂逐层堆叠及辊压后形成非晶纳米晶单体,且所述离型膜通过所述粘接剂压覆在每个所述非晶纳米晶单体的上下表面;
若干个压覆有所述离型膜的所述非晶纳米晶单体通过所述粘接剂在同一平面逐个拼接形成具有拼接缝隙的非晶纳米晶单体板,且位于每块所述非晶纳米晶单体板中最底层的所述非晶纳米晶单体的下表面的所述离型膜均被撕开;
若干块下表面所述离型膜被撕开的所述非晶纳米晶单体板通过所述粘接剂逐层堆叠及辊压后形成非晶纳米晶单体板叠构,同时上下相邻的所述非晶纳米晶单体板的拼接间隙相互错开,且所述绝缘胶带包覆在所述非晶纳米晶单体板叠构的外表面。
进一步的,每个所述非晶纳米晶单体中,堆叠的所述非晶纳米晶带材的层数为1~20层。
进一步的,每块所述非晶纳米晶单体板中,左右相邻的所述非晶纳米晶单体之间的拼接间隙为0~3mm。
进一步的,每块所述非晶纳米晶单体板的长宽尺寸为(50~1000)×(50~1000)mm。
进一步的,上下相邻的所述非晶纳米晶单体板互相错开的拼接缝隙的错开距离为0.5~100 mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州威斯东山电子技术有限公司,未经苏州威斯东山电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821812574.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





