[实用新型]半导体制程设备

说明书

一种半导体制程设备，包含上部组件、下部组件、环状凹口以及弹性体。上部组件是用以承载一晶圆。下部组件具有侧壁表面，用以承载上部组件。环状凹口是位于下部组件及上部组件之间。弹性体是设置于凹口内，其中弹性体具有相互连接的本体以及延伸部，延伸部凸出于本体以及侧壁表面，且沿侧壁表面延伸。

技术领域

本实用新型是有关于一种半导体制程设备，特别是有关于一种具有弹性体的半导体制程设备。

背景技术

在现今的半导体制程中，往往会对晶圆进行蚀刻制程以在半导体上形成电路图案。电浆蚀刻为蚀刻制程的一种，其以高速的离子气流射向晶圆以蚀刻晶圆表面，形成电路图案。为了在电浆蚀刻制程中的高速离子气流下保持晶圆的位置，目前多半使用静电吸附承盘(electrostatic chuck；ESC)，产生静电力以固定晶圆的位置。然而，在蚀刻气体的作用下，静电吸附承盘亦可能受到蚀刻气体侵蚀而损坏，影响制程良率。因此，需要一种较不易损坏的半导体制程设备，以克服前述问题。

发明内容

为解决前述现有问题，本实用新型实施例提供一种半导体制程设备，包含上部组件、下部组件、环状凹口、以及弹性体。上部组件是用以承载一晶圆。下部组件是用以承载上部组件，且具有侧壁表面。环状凹口位于下部组件及上部组件之间。弹性体具有相互连接的本体以及延伸部，其中本体设置于凹口内，延伸部凸出于本体以及下部组件的侧壁表面，且沿前述侧壁表面延伸。

于一实施例中，半导体制程设备还包含一连接层，位于上部组件及下部组件之间，用以连接上部组件及下部组件。半导体制程设备还包括外侧组件，环绕上部组件及下部组件且对应于上部组件的外侧表面及下部组件的侧壁表面设置，其中外侧组件与延伸部之间相隔一距离。下部组件还具有凸出部，朝外侧组件方向凸出，且延伸部抵接凸出部。延伸部于弹性体的径向方向上具有一宽度，且延伸部的宽度的范围介于0.05mm至1.0mm之间。

于一实施例中，半导体制程设备还包含保护膜，设置于下部组件的侧壁表面上，且位于下部组件以及弹性体之间。半导体制程设备还包含第一侧壁防护组件，设置于侧壁表面并抵接凸出部，用以保护侧壁表面。半导体制程设备还包含第二侧壁防护组件，设置于侧壁表面并抵接第一侧壁防护组件，用以保护侧壁表面，其中第二侧壁防护组件位于凸出部与第一侧壁防护组件之间。弹性体更具有至少一导角面，形成于本体内缘，且导角面为斜角或圆角。延伸部于弹性体的轴向方向上具有一长度，且长度的范围介于0.3mm至20mm之间。弹性体具有氟化橡胶(Fluoro-elastomer)、全氟化橡胶(Perfluoro-elastomer)或氟硅橡胶(Fluorosilicone)材质。

本实用新型的另一实施例提供一种半导体制程设备，用以承载一晶圆，包含上部组件、下部组件、环状凹口、以及弹性体。上部组件是用以承载一晶圆且具有第一侧壁表面。下部组件是用以承载上部组件且具有第二侧壁表面。环状凹口是位于下部组件及上部组件之间，且邻接所述第一、第二侧壁表面。弹性体具有相互连接的本体以及第一延伸部，其中本体设置于凹口内，第一延伸部凸出于本体以及第一侧壁表面，且沿第一侧壁表面延伸。

于一实施例中，弹性体更具有第二延伸部，第二延伸部凸出于本体以及第二侧壁表面，且沿第二侧壁表面延伸。半导体制程设备还包含连接层，位于上部组件及下部组件之间，用以连接上部组件及下部组件。半导体制程设备还包括外侧组件，环绕上部组件及下部组件，且对应于上部组件的第一侧壁表面及下部组件的第二侧壁表面设置，其中外侧组件与第一延伸部之间相隔一距离。

于一实施例中，弹性体还具有凸块，抵接外侧组件。第一延伸部的顶面低于上部组件的顶面。第一延伸部于弹性体的径向方向上具有一宽度，且第一延伸部的宽度的范围介于0.05mm至1.0mm之间。弹性体具有斜面，斜面与下部组件的第二侧壁表面之间夹有一角度，且角度为钝角。弹性体还具有阶梯状表面，且阶梯状表面邻接斜面。弹性体更具有导角面，形成于第一延伸部的外缘，且导角面为斜角或圆角。