[实用新型]地磁传感器件

说明书

本申请公开了一种地磁传感器件，该地磁传感器件包括：CMOS电路；以及传感器，位于在CMOS电路上，CMOS电路与传感器连接，用于驱动传感器和处理传感器产生的检测信号，其中，传感器包括：结构层；依次在结构层上形成的磁阻条、短路电极以及金属连线；以及第一导电层与第二导电层，位于结构层上方，第一导电层分别与CMOS电路以及金属连线相连，第二导电层分别与CMOS电路以及外部电路相连。通过在CMOS电路上形成传感器，并通过第一导电层与第二导电层实现CMOS电路与传感器的电连接，实现了CMOS电路驱动传感器和处理传感器产生的检测信号的功能，达到了CMOS电路与传感器将集成的目的。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种地磁传感器件。

背景技术

微机械系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)与集成电路(integratedcircuit,IC)目前是半导体产业最重要的两个发展领域。在全球科技迅速发展的推动下，MEMS与IC的集成成为一种必然趋势。其集成方法有三种：单片集成、半混合(键合)集成和混合集成。单片集成是指MEMS结构与CMOS制造在一个芯片上。混合集成是将MEMS和IC分别制造在不同的管芯上，然后封装在一个管壳中，将带凸点的MEMS裸片以倒装焊接形式或者引线键合方式与IC芯片相互连接，形成SIP。半混合是利用三维集成技术实现MEMS芯片和CMOS的立体集成。单片集成是MEMS与IC是集成技术的重要发展方向，尤其对于射频RF薄膜体声波滤波器而言有很多优点。首先，处理电路靠近微结构，对信号的检测、收发能够实现更高的精度；其次，集成系统体积减小，功耗低；再次，器件数量减少、封装管脚数降低，可靠性提高。

在现有的三轴地磁传感器制造技术中，大多采用系统级封装(system in apackage,SIP)将地磁传感器、ASIC合封在一起。SIP指在一个封装体内集成多个功能芯片，芯片之间通过衬底的引线键合进行连接。SIP的模块间互联很长、集成密度较低，对信号的传输不利，制造工艺繁琐且不利于集成。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种地磁传感器件，在CMOS电路上形成传感器，并通过第一导电层与第二导电层实现CMOS电路与传感器的电连接，实现了CMOS电路驱动传感器和处理传感器产生的检测信号的功能。

本实用新型提供了一种地磁传感器件，包括：CMOS电路；以及传感器，位于在所述CMOS电路上，所述CMOS电路与所述传感器连接，用于驱动所述传感器和处理所述传感器产生的检测信号，其中，所述传感器包括：结构层；依次在所述结构层上形成的磁阻条、短路电极以及金属连线；以及第一导电层与第二导电层，位于所述结构层上方，所述第一导电层分别与所述CMOS电路以及所述金属连线相连，所述第二导电层分别与所述CMOS电路以及外部电路相连。

优选地，所述结构层中具有凹槽，所述凹槽具有倾斜的侧壁。

优选地，所述结构层包括：在所述CMOS电路上依次沉积的多层二氧化硅。

优选地，所述结构层的密度沿纵向方向呈梯度分布，所述结构层的厚度大于等于预设值。

优选地，所述倾斜侧壁的倾斜角度包括30°至60°。

优选地，所述磁阻条包括：X轴磁阻条，位于所述结构层的平面区域；Y轴磁阻条，位于所述结构层的平面区域；以及Z轴磁阻条，位于所述侧壁。

优选地，所述短路电极与所述金属连线位于所述磁阻条上方。

优选地，所述短路电极与所述磁阻条呈预设夹角，所述预设夹角包括45°。

优选地，所述传感器还包括介质层，所述介质层覆盖所述结构层、所述磁阻条、所述短路电极以及所述金属连线。