[实用新型]地磁传感器件

权利要求书

1.一种地磁传感器件，包括：

CMOS电路；以及

传感器，位于在所述CMOS电路上，所述CMOS电路与所述传感器连接，用于驱动所述传感器和处理所述传感器产生的检测信号，

其中，所述传感器包括：

结构层；

依次在所述结构层上形成磁阻条、短路电极以及金属连线；以及

第一导电层与第二导电层，位于所述结构层上方，所述第一导电层分别与所述CMOS电路以及所述金属连线相连，所述第二导电层分别与所述CMOS电路以及外部电路相连。

2.根据权利要求1所述的地磁传感器件，其中，所述结构层中具有凹槽，所述凹槽具有倾斜的侧壁。

3.根据权利要求2所述的地磁传感器件，其中，所述结构层包括：在所述CMOS电路上依次沉积的多层二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的地磁传感器件，其中，所述结构层的密度沿纵向方向呈梯度分布，所述结构层的厚度大于等于预设值。

5.根据权利要求3所述的地磁传感器件，其中，所述倾斜侧壁的倾斜角度包括30°至60°。

6.根据权利要求3所述的地磁传感器件，其中，所述磁阻条包括：

X轴磁阻条，位于所述结构层的平面区域；

Y轴磁阻条，位于所述结构层的平面区域；以及

Z轴磁阻条，位于所述侧壁。

7.根据权利要求1所述的地磁传感器件，其中，所述短路电极与所述金属连线位于所述磁阻条上方。

8.根据权利要求7所述的地磁传感器件，其中，所述短路电极与所述磁阻条呈预设夹角，所述预设夹角包括45°。

9.根据权利要求1所述的地磁传感器件，其中，所述传感器还包括介质层，所述介质层覆盖所述结构层、所述磁阻条、所述短路电极以及所述金属连线。

10.根据权利要求9所述的地磁传感器件，其中，所述CMOS电路的表面具有第一焊垫与第二焊垫，

所述第一导电层穿过所述介质层、所述结构层与所述第一焊垫连接，所述第二导电层穿过所述介质层、所述结构层与所述第二焊垫连接。

11.根据权利要求9所述的地磁传感器件，其中，所述介质层具有通孔，

所述第一导电层与所述金属连线通过所述通孔相连。

12.根据权利要求1所述的地磁传感器件，其中，所述传感器还包括钝化层，其具有开口，所述钝化层覆盖所述第一导电层与所述第二导电层，

至少部分所述第二导电层通过所述开口暴露。

13.根据权利要求2所述的地磁传感器件，其中，所述凹槽呈倒置的梯形。

14.根据权利要求1所述的地磁传感器件，其中，所述磁阻条包括：

在所述结构层上依次形成的钛层、坡莫合金层以及氮化钛层，或者在所述结构层上依次形成的钽层、坡莫合金层以及氮化钽层。

15.根据权利要求1-14任一所述的地磁传感器件，其中，所述第一导电层与所述第二导电层均包括连接部，

所述第一导电层的连接部分别与所述CMOS电路以及所述金属连线相连，

所述第二导电层的连接部分别与所述CMOS电路以及所述外部电路相连。