[实用新型]一种可检测入射光强度的霍尔传感器

说明书

本实用新型涉及一种可检测入射光强度的霍尔传感器，包括衬底层，设置于衬底层上方的金属层，设置于金属层上方的透光导电层，所述透光导电层的上方还设置有多个平行排列的金属条；所述透光导电层的左右设置有电极；所述透光导电层的前后两侧设置有磁极；该可检测入射光强度的霍尔传感器，通过光对霍尔效应的电场造成影响，从而改变传感器的电流，通过对电流的检测，来反映光的变化，不仅结构简单，而且灵敏性高，特别是对能够与法布里‑珀罗腔共振的特定频率的光，具有非常好的检测效果，通过改变透光导电层所加载的电压，可以调节透光导电层对不同频率的光的响应，使得法布里‑珀罗腔的共振频率发生改变，这样就可以对共振的频率进行调节。

技术领域

本发明涉及空间光学技术领域，具体涉及一种可检测入射光强度的霍尔传感器。

背景技术

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔(A.H.Hall，1855-1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应。霍尔效应：若将金属或半导体薄片垂直置于磁感应强度为 B的磁场中，给垂直磁场方向上通有电流时，在垂直于电流和磁场的方向上产生电场的物理现象。由于霍尔传感器能够检测磁场的方向和大小，因此可以广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面，并且基于半导体的霍尔传感器被广泛使用。这里，基于半导体的霍尔传感器是指用互补金属氧化物半导体(CMOS)、Bipolar(双极)、BiCMOS(BipolarCMOS，双极-互补金属氧化物半导体)实施的霍尔传感器。

然而，现有的霍尔传感器均是被用作测量磁场或者电场的检测，无法进行光的检测。

发明内容

本发明的目的是克服现有霍尔传感器无法进行光检测的问题。

为此，本发明提供了一种可检测入射光强度的霍尔传感器，包括衬底层，设置于衬底层上方的金属层，设置于金属层上方的透光导电层，所述透光导电层的上方还设置有多个平行排列的金属条；所述透光导电层的左右设置有电极；所述透光导电层的前后两侧设置有磁极。

所述透光导电层为金属氧化物制成。

所述透光导电层为ITO或FTO或ZAO。

所述金属条的设置方向为水平方向。

所述金属条的为水平横向设置。

所述金属条的为水平纵向设置。

所述衬底层的为硅层。

所述金属层、金属条为导电良好的金属材料制成。

所述金属层、金属条为金或银制成。

所述透光导电层的上表面还设置有石墨烯层。

本发明的有益效果：本发明提供的这种可检测入射光强度的霍尔传感器，通过光对霍尔效应的电场造成影响，从而改变传感器的电流，通过对电流的检测，来反应光的变化，不仅结构简单，而且灵敏性高，特别是对能够与法布里-珀罗腔共振的特定频率的光，具有非常好的检测效果，通过改变透光导电层所加载的电压，可以调节透光导电层对不同频率的光的响应，使得法布里-珀罗腔的共振频率发生改变，这样就可以对共振的频率进行调节。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是可检测入射光强度的霍尔传感器俯视图。

图2是可检测入射光强度的霍尔传感器侧视图。

图3是可检测入射光强度的霍尔传感器侧视图。

图中：1、衬底层；2、金属层；3、透光导电层；4、金属条；5、磁极6、电极；7、石墨烯层。

具体实施方式