[实用新型]一种用于厚膜基板烧结的燃烧舟有效
| 申请号： | 201821747436.7 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN208848873U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘俊夫;董永平;卫敏;张景;郑静 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 厚膜基板 烧结 衬底 透气通孔 凸起 燃烧 本实用新型 衬底上表面 衬底边缘 充分接触 烧结过程 烧结气氛 上表面 布设 炉内 围框 配合 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于厚膜基板烧结的燃烧舟，其特征在于：包括衬底和设于衬底边缘的围框，所述衬底的上表面布设有充满所述衬底上表面的若干凸起，所述衬底还开设有若干透气通孔，所述透气通孔位于所述凸起间。
2.如权利要求1所述的燃烧舟，其特征在于：所述凸起在所述衬底的上表面呈阵列排列，所述阵列的中心与所述衬底的中心重合。
3.如权利要求1或2所述的燃烧舟，其特征在于：所述凸起为正四棱锥体，所述凸起的底面为正方形，所述凸起的顶点用于与待烧结的厚膜基板接触。
4.如权利要求1所述的燃烧舟，其特征在于：所述透气通孔在所述衬底上也呈阵列排列，所述阵列的中心与所述衬底的中心重合。
5.如权利要求1所述的燃烧舟，其特征在于：所述衬底的下表面为平面。
6.如权利要求1所述的燃烧舟，其特征在于：所述燃烧舟为三氧化二铝熟磁材质。
7.如权利要求6所述的燃烧舟，其特征在于：所述三氧化二铝熟磁的纯度高于95%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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