[实用新型]一种汽车用暂态电压抑制二极管有效
申请号: | 201821709906.0 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN208753318U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 肖南海 | 申请(专利权)人: | 上海音特电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/02;H01L29/861 |
代理公司: | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人: | 王仙子 |
地址: | 201500 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 抑制二极管 上掺杂层 下掺杂层 暂态电压 下电极金属层 本实用新型 玻璃钝化层 单晶硅基片 电极金属层 负电极引线 正电极引线 汽车用 堆叠 封装半导体芯片 汽车电气系统 汽车电子系统 静电放电ESD 电路板 浪涌过电压 过电流 管体 依附 损害 | ||
本实用新型公开了一种汽车用暂态电压抑制二极管,包括半导体芯片,用于封装半导体芯片的管体,以及连接半导体芯片的正电极引线和负电极引线;其中,所述半导体芯片包括单晶硅基片,依附在单晶硅基片上的上掺杂层和下掺杂层,位于上掺杂层与下掺杂层之间的PN结,位于上掺杂层外侧依次堆叠的玻璃钝化层和上电极金属层,以及位于下掺杂层外侧的依次堆叠的玻璃钝化层和下电极金属层,所述正电极引线与上电极金属层相连,负电极引线与下电极金属层相连。通过上述设计,本实用新型解决了现有暂态电压抑制二极管无法消除汽车电子系统中静电放电ESD、浪涌过电压、过电流等导致电路板损害的问题,提高了汽车电气系统的稳定性。因此适于推广应用。
技术领域
本实用新型涉及一种电路保护器件,具体地说,是涉及一种汽车用暂态电压抑制二极管。
背景技术
无论是传统汽车和新能源汽车,安全、绿色、舒适的汽车电子系统是共同的诉求,汽车安全性包括零失效、功能安全和自诊断模块;环境友好性指通过车载网络的使用来减轻车重,从而降低能耗,还包括采用环保材料和工艺;强大的图形图像处理技术,直观友好的人机界面都为驾驶者带来舒适的驾驶体验。
汽车中电子器件的技术含量和数量是衡量汽车性能一个重要标志。随着人们对驾驶的舒适性、安全性、娱乐性和经济性的要求日益苛刻,使汽车电子系统变得更加复杂,汽车中电子器件的数量也越来越多。ABS、电子点火系统、气囊保护和倒车雷达等许多功能现已被当作标准配置,而这还远远不够,因为人们对更精准的汽车控制和娱乐享受的追求没有停歇。
在汽车电子的设计过程中,需要考虑可能面临的各种电气危害,静电放电ESD、浪涌过电压、过电流等都会损害电路板,从而影响了汽车车行驶安全和用户体验。面临众多的技术挑战,克服破坏车辆电子设备的瞬态浪涌是设计过程中最大的挑战。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种汽车用暂态电压抑制二极管,主要解决汽车电子系统中静电放电ESD、浪涌过电压、过电流等导致电路板损害的问题。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种汽车用暂态电压抑制二极管,包括半导体芯片,用于封装半导体芯片的管体,以及连接半导体芯片的正电极引线和负电极引线;其中,所述半导体芯片包括单晶硅基片,依附在单晶硅基片上的上掺杂层和下掺杂层,位于上掺杂层与下掺杂层之间的PN结,位于上掺杂层外侧依次堆叠的玻璃钝化层和上电极金属层,以及位于下掺杂层外侧的依次堆叠的玻璃钝化层和下电极金属层,所述正电极引线与上电极金属层相连,负电极引线与下电极金属层相连。
进一步地,所述上掺杂层为N型磷结区,下掺杂层为P型硼结区。
进一步地,所述上掺杂层和下掺杂层上还设置有玻璃保护层,位于上电极金属层和下电极金属层外侧。
作为优选,所述玻璃钝化层材料为锌硼硅酸盐玻璃。
作为优选,所述管体材料为环氧树脂。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
(1)本实用新型通过结钝化优化设计,采用玻璃钝化材料,确保了后续芯片封装的质量,提高了瞬态二极管在使用过程中的稳定性和可靠性,进而提升了汽车的电路系统的稳定性。
(2)本实用新型通过上掺杂层与下掺杂层之间形成的PN结,具有高浪涌能力,有效减少过电压、过电流的产生,保护汽车的电路系统不受损害。
附图说明
图1为本实用新型剖面结构示意图。
图2本为实用新型半导体芯片剖面结构示意图。
其中,附图标记对应的名称为:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的