[实用新型]晶圆处理装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括：反应腔室；第一传输室，具有第一机械手臂，用于将晶圆自外界传输至所述反应腔室内进行处理；第二传输室，与所述第一传输室分别位于所述反应腔室的相对两侧，具有第二机械手臂，用于将经所述反应腔室处理后的所述晶圆传输至外界。本实用新型减少了晶圆被污染的概率，提高了半导体产品的良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。

背景技术

随着半导体制造技术的不断发展，IC电路集成度越来越高，半导体产品的关键尺寸逐渐减小，对污染物的控制要求也越来越高。将IC形成在晶圆上，这必须经历许多的工艺步骤，每个工艺步骤都需要在特定的晶圆处理腔室中进行，在很多情况下，这些晶圆处理腔室都需要保持在真空或是近乎真空的环境下，才能对晶圆进行正常的工艺处理。因此，在晶圆的处理工序中，将晶圆从一个处理腔室转移至另一个处理腔室的过程中，需要大气传送模组(Atmosphere Transfer Module，ATM)、气锁(Airlock)、真空传送模组(VacuumTransfer Module，VTM)、前端开启式同一规格运输腔或者前端开启式通用腔(FrontOpening Unified Pod，FOUP)等的协同作用实现。

晶圆在进入每道工艺的处理腔室之前必须要经过清洗，以除去晶圆表面的颗粒、有机物、金属、自然氧化物等污染物，因此，如何降低晶圆表面的污染是半导体技术发展过程中的重要一环。金属污染是半导体工业中一个众所周知的问题，并且在包括多晶硅栅的CMOS晶体管的形成工艺中尤其普遍。当对具有表面结晶缺陷的多晶硅层进行刻蚀时，刻蚀不能完全通过缺陷区域，从而使得导致多晶硅线短路的多晶硅孤岛的生成。

在实际的作业过程中，晶圆自外界传输至反应腔室内部、以及处理完后的晶圆自反应腔室传输至外界都需要经过多个传输步骤，而且未处理的晶圆与已处理完的晶圆在同一空间内搬送，从而使得晶圆表面被金属污染的概率大大增加，影响了半导体产品的良率。

因此，如何降低晶圆被污染的概率，提高半导体产品的良率，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆处理装置，用于解决现有的晶圆处理装置在传输晶圆过程中易导致晶圆污染的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆处理装置，包括：

反应腔室；

第一传输室，具有第一机械手臂，用于将晶圆自外界传输至所述反应腔室内进行处理；

第二传输室，与所述第一传输室分别位于所述反应腔室的相对两侧，具有第二机械手臂，用于将经所述反应腔室处理后的所述晶圆传输至外界。

优选的，还包括：

第一分隔板，位于所述反应腔室与所述第一传输室之间，用于隔离所述反应腔室与所述第一传输室；

第二分隔板，位于所述反应腔室与所述第二传输室之间，用于隔离所述反应腔室与所述第二传输室。

优选的，所述第一机械手臂与所述第二机械手臂结构相同；所述第一机械手臂包括支撑柱和支撑台；所述支撑柱沿竖直方向延伸；所述支撑台位于所述支撑柱的顶部，用于承载所述晶圆。

优选的，所述第一机械手臂还包括控制器和第一驱动器；所述第一驱动器连接所述控制器，用于根据所述控制器发出的第一指令驱动所述支撑台围绕第一轴线自转，所述第一轴线沿竖直方向延伸、且与所述支撑柱的轴线重合。

优选的，所述第一机械手臂还包括第二驱动器；所述第二驱动器连接所述控制器，用于根据所述控制器的第二指令驱动所述支撑柱沿竖直方向进行升降运动。