[实用新型]一种多基片与多磁控靶之间的位置控制电路有效
| 申请号: | 201821708736.4 | 申请日: | 2018-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN208965027U | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
| 发明(设计)人: | 邓树洁 | 申请(专利权)人: | 上海利方达真空技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 | 代理人: | 谢建玲;郝亮 |
| 地址: | 201822 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁控靶 位置控制电路 本实用新型 电阻 稳压二极管 二极管 光电开关 控制电路 位置控制 三极管 元器件 电路 采购 | ||
本实用新型涉及一种多基片与多磁控靶之间的位置控制电路,包括:光电开关K1‑K16,若干二极管D1、若干稳压二极管D2、若干电阻R1、若干电阻R2和若干三极管Q;本实用新型提供的多基片多磁控靶位置控制电路,可以完成特定基片对应特定磁控靶的位置控制,电路简单易实施。所用元器件普通便于采购,且价格低廉。是一种简单易行、设计合理的控制电路。
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜机设备控制领域,具体涉及多个靶位与多个基片之间的位置定位电路。
背景技术
一般采用磁控溅射镀膜的方式,在工件表面镀多种金属膜、介质膜,因此需要选用多个磁控靶,用于安装不同的靶材,达到多层镀膜的目的。在通常情况下,安装工件的基片,一般选用一个,按工艺顺序和要求选用磁控靶分别对此基片上的工件镀膜。若想安装多个工件,每个工件具有不同的工艺,在这种情况下,需要设计多个基片。为了满足多工件多工艺的控制,需要解决多基片与多磁控靶之间的定位。本实用新型公开了一种多基片与多磁控靶之间的位置控制电路。
实用新型内容
针对现有技术中存在的缺陷,本实用新型的目的是提供一种简单可靠的电路设计,达到选用的特定基片对应特定磁控靶。
为达到以上目的,本实用新型采取的技术方案是:
一种多基片与多磁控靶之间的位置控制电路,包括:光电开关K1-K16,若干二极管D1、若干稳压二极管D2、若干电阻R1、若干电阻R2和若干三极管Q;
基片Ⅰ在磁控靶Ⅳ的光电开关K4的引脚②与基片Ⅰ在磁控靶Ⅲ的光电开关K3的引脚①串联,基片Ⅰ在磁控靶Ⅲ的光电开关K3的引脚②与基片Ⅰ在磁控靶Ⅱ的光电开关K2的引脚①串联,基片Ⅰ在磁控靶Ⅱ的光电开关K2的引脚②与基片Ⅰ在磁控靶Ⅰ的光电开关K1的引脚①串联,基片Ⅰ在磁控靶Ⅳ的光电开关K4的引脚①与电阻R1的一端连接,基片Ⅰ在磁控靶Ⅰ的光电开关K1的引脚③、基片Ⅰ在磁控靶Ⅱ的光电开关K2的引脚③、基片Ⅰ在磁控靶Ⅲ的光电开关K3的引脚③、基片Ⅰ在磁控靶Ⅳ的光电开关K4的引脚③并联后与电阻R1的另一端连接,作为基片Ⅰ的输入电压端Y1;
基片Ⅱ在磁控靶Ⅳ的光电开关K8的引脚②与基片Ⅱ在磁控靶Ⅲ的光电开关K7的引脚①串联,基片Ⅱ在磁控靶Ⅲ的光电开关K7的引脚②与基片Ⅱ在磁控靶Ⅱ的光电开关K6的引脚①串联,基片Ⅱ在磁控靶Ⅱ的光电开关K6的引脚②与基片Ⅱ在磁控靶Ⅰ的光电开关K5的引脚①串联,基片Ⅱ在磁控靶Ⅳ的光电开关K8的引脚①与电阻R1的一端连接,基片Ⅱ在磁控靶Ⅰ的光电开关K5的引脚③、基片Ⅱ在磁控靶Ⅱ的光电开关K6的引脚③、基片Ⅱ在磁控靶Ⅲ的光电开关K7的引脚③、基片Ⅱ在磁控靶Ⅳ的光电开关K8的引脚③并联后与电阻R1的另一端连接,作为基片Ⅱ的输入电压端Y2;
基片Ⅲ在磁控靶Ⅳ的光电开关K12的引脚②与基片Ⅲ在磁控靶Ⅲ的光电开关K11的引脚①串联,基片Ⅲ在磁控靶Ⅲ的光电开关K11的引脚②与基片Ⅲ在磁控靶Ⅱ的光电开关K10的引脚①串联,基片Ⅲ在磁控靶Ⅱ的光电开关K10的引脚②与基片Ⅲ在磁控靶Ⅰ的光电开关K9的引脚①串联,基片Ⅲ在磁控靶Ⅳ的光电开关K12的引脚①与电阻R1的一端连接,基片Ⅲ在磁控靶Ⅰ的光电开关K9的引脚③、基片Ⅲ在磁控靶Ⅱ的光电开关K10的引脚③、基片Ⅲ在磁控靶Ⅲ的光电开关K11的引脚③、基片Ⅲ在磁控靶Ⅳ的光电开关K12的引脚③并联后与电阻R1的另一端连接,作为基片Ⅲ的输入电压端Y3;
基片Ⅳ在磁控靶Ⅳ的光电开关K16的引脚②与基片Ⅳ在磁控靶Ⅲ的光电开关K15的引脚①串联,基片Ⅳ在磁控靶Ⅲ的光电开关K15的引脚②与基片Ⅳ在磁控靶Ⅱ的光电开关K14的引脚①串联,基片Ⅳ在磁控靶Ⅱ的光电开关K14的引脚②与基片Ⅳ在磁控靶Ⅰ的光电开关K13的引脚①串联,基片Ⅳ在磁控靶Ⅳ的光电开关K16的引脚①与电阻R1的一端连接,基片Ⅳ在磁控靶Ⅰ的光电开关K13的引脚③、基片Ⅳ在磁控靶Ⅱ的光电开关K14的引脚③、基片Ⅳ在磁控靶Ⅲ的光电开关K15的引脚③、基片Ⅳ在磁控靶Ⅳ的光电开关K16的引脚③并联后与电阻R1的另一端连接,作为基片Ⅳ的输入电压端Y4;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海利方达真空技术有限公司,未经上海利方达真空技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821708736.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





