[实用新型]VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置

说明书

本实用新型涉及检测装置技术领域，尤其为VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置，包括装置外壳、第一履带和二级运输机构，所述装置外壳内侧设有第一电机，所述第一电机主轴末端固定连接有旋转偏移套杆，所述旋转偏移套杆外侧滑动连接有第一主动履带轮，所述第一主动履带轮外侧啮合连接有第一履带，所述第一履带内侧啮合连接有转向定位履带轮，所述第一履带另一端啮合连接有第一从动履带轮，所述第一从动履带轮内侧滑动连接有第二定位杆；本实用新型中，通过设置的电动伸缩杆和二级运输机构，实现了对检测完毕的电容分别处理的效果，提高了装置的实用性，具有巨大的经济效益和广泛的市场前景，值得推广使用。

技术领域

本实用新型涉及检测装置技术领域，具体为VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置。

背景技术

VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置使主要针对VDMOS垂直栅场效应晶体管推出的一种电容稳定性检测装置，该装置通过加电压，加热等各种方式可以检测VDMOS垂直栅场效应晶体管的各项电容稳定性指标。

现有的检测装置在检测完毕后将检测结果直接显示在外部显示屏上，并由工作人员剔除不合格产品，这样十分耗费人力，且增加了检测成本，装置不具备实用性，且装置在检测前需操作员将晶体管摆正位置方能准确检测，对摆放的精确度要求较高，不具备检测的准确性，因此，针对上述问题提出VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置，包括装置外壳、第一履带和二级运输机构，所述装置外壳顶端连通有引风机，所述引风机输出端设有电流控制器，所述电流控制器右端固定连接有电阻丝，所述引风机输出端连通有导流管，所述装置外壳顶端内侧固定连接有红外测温传感器，所述装置外壳左侧开有投料口，所述投料口右侧设有投料滑道，所述装置外壳内侧设有第一电机，所述第一电机主轴末端固定连接有旋转偏移套杆，所述旋转偏移套杆一端固定连接有转动控制杆，所述转动控制杆外侧滑动连接有复位弹簧，所述旋转偏移套杆另一端固定连接有偏移控制环，所述旋转偏移套杆外侧滑动连接有第一主动履带轮，所述第一主动履带轮外侧啮合连接有第一履带，所述第一履带内侧啮合连接有转向定位履带轮，所述转向定位履带轮内侧转动连接有第一定位杆，所述第一履带另一端啮合连接有第一从动履带轮，所述第一从动履带轮内侧滑动连接有第二定位杆，所述第二定位杆两端均转动连接有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆底端设有控制器，所述装置外壳内侧设有二级运输机构，所述二级运输机构包括第二电机、第三定位杆、第二主动履带轮、第二履带、第二从动履带轮和第四定位杆，所述装置外壳内侧设有第二电机，所述第二电机主轴末端固定连接有第三定位杆，所述第三定位杆外侧固定连接有第二主动履带轮，所述第二主动履带轮外侧啮合连接有第二履带，所述第二履带另一端啮合连接有第二从动履带轮，所述第二从动履带轮内侧滑动连接有第四定位杆，上端所述二级运输机构右端设有合格品收集篮，下端所述二级运输机构右端设有残次品收集篮。

优选的，所述第一履带中间开有限位运输槽，且限位运输槽与导流管、红外测温传感器位置上下对应。

优选的，所述二级运输机构个数为2个，且2个二级运输机构呈上下对应设置。

优选的，所述第一主动履带轮与旋转偏移套杆相邻一端开有推进槽，且推进槽内滑动设置有转动控制杆,所述偏移控制环与第一主动履带轮相邻一侧横截面均为波浪形，且偏移控制环与第一主动履带轮互相契合。

优选的，所述红外测温传感器与控制器、电动伸缩杆依次电性连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：