[实用新型]VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置

权利要求书

1.VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置，包括装置外壳(1)、第一履带(4)和二级运输机构(9)，其特征在于：所述装置外壳(1)顶端连通有引风机(18)，所述引风机(18)输出端设有电流控制器(16)，所述电流控制器(16)右端固定连接有电阻丝(17)，所述引风机(18)输出端连通有导流管(19)，所述装置外壳(1)顶端内侧固定连接有红外测温传感器(20)，所述装置外壳(1)左侧开有投料口(c)，所述投料口(c)右侧设有投料滑道(11)，所述装置外壳(1)内侧设有第一电机(2)，所述第一电机(2)主轴末端固定连接有旋转偏移套杆(12)，所述旋转偏移套杆(12)一端固定连接有转动控制杆(13)，所述转动控制杆(13)外侧滑动连接有复位弹簧(14)，所述旋转偏移套杆(12)另一端固定连接有偏移控制环(15)，所述旋转偏移套杆(12)外侧滑动连接有第一主动履带轮(3)，所述第一主动履带轮(3)外侧啮合连接有第一履带(4)，所述第一履带(4)内侧啮合连接有转向定位履带轮(6)，所述转向定位履带轮(6)内侧转动连接有第一定位杆(5)，所述第一履带(4)另一端啮合连接有第一从动履带轮(8)，所述第一从动履带轮(8)内侧滑动连接有第二定位杆(7)，所述第二定位杆(7)两端均转动连接有电动伸缩杆(22)，所述电动伸缩杆(22)底端设有控制器(21)，所述装置外壳(1)内侧设有二级运输机构(9)，所述二级运输机构(9)包括第二电机(901)、第三定位杆(902)、第二主动履带轮(903)、第二履带(904)、第二从动履带轮(905)和第四定位杆(906)，所述装置外壳(1)内侧设有第二电机(901)，所述第二电机(901)主轴末端固定连接有第三定位杆(902)，所述第三定位杆(902)外侧固定连接有第二主动履带轮(903)，所述第二主动履带轮(903)外侧啮合连接有第二履带(904)，所述第二履带(904)另一端啮合连接有第二从动履带轮(905)，所述第二从动履带轮(905)内侧滑动连接有第四定位杆(906)，上端所述二级运输机构(9)右端设有合格品收集篮(10)，下端所述二级运输机构(9)右端设有残次品收集篮(23)。

2.根据权利要求1所述的VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置，其特征在于：所述第一履带(4)中间开有限位运输槽(a)，且限位运输槽(a)与导流管(19)、红外测温传感器(20)位置上下对应。

3.根据权利要求1所述的VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置，其特征在于：所述二级运输机构(9)个数为2个，且2个二级运输机构(9)呈上下对应设置。

4.根据权利要求1所述的VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置，其特征在于：所述第一主动履带轮(3)与旋转偏移套杆(12)相邻一端开有推进槽(b)，且推进槽(b)内滑动设置有转动控制杆(13),所述偏移控制环(15)与第一主动履带轮(3)相邻一侧横截面均为波浪形，且偏移控制环(15)与第一主动履带轮(3)互相契合。

5.根据权利要求1所述的VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置，其特征在于：所述红外测温传感器(20)与控制器(21)、电动伸缩杆(22)依次电性连接。