[实用新型]制程处理设备

说明书

本实用新型提供一种制程处理设备包括制程单元，用以对基板进行显影、蚀刻或去膜制程，制程单元包括二流体雾化装置，二流体雾化装置包括液体幕帘出口，二流体雾化装置用以供气体与液体混合雾化后形成雾化液体流，并由液体幕帘出口喷洒出雾化液体至基板。

技术领域

本实用新型涉及以雾化液体流进行显影、蚀刻或去膜制程的一种制程处理设备。

背景技术

在制程中往往以多组喷嘴对基板进行喷洒药液，以对基板进行相关制程，然而，虽可利用移动基板或让喷嘴以角度方式去喷洒。但受限于多组喷嘴设置及角度局限，多组喷嘴喷洒的药液于部分有交集，部分未有交集，导致部分药液重叠，部分药液未重叠，造成无法均匀喷洒药液，使得药液浸溃不均，而出现制程不良的问题产生。

因此，如何改良并能提供一种制程处理设备，来避免上述所遭遇到的问题，为目前业界的重要课题。

实用新型内容

本实用新型提供一种制程处理设备，可用于显影、蚀刻或去膜等制程，制程处理设备中的二流体雾化装置，用以供气体与液体混合雾化后形成雾化液体流，并由液体幕帘出口喷洒出雾化液体至该基板。

本实用新型的一种制程处理设备包括一制程单元，用以对一基板进行显影、蚀刻或去膜制程，制程单元包括一二流体雾化装置，二流体雾化装置包括一液体幕帘出口，二流体雾化装置用以供一气体与一液体混合雾化后形成一雾化液体流，并由液体幕帘出口喷洒出雾化液体流至基板。

在本实用新型的一实施例中，上述的二流体雾化装置包括一第一壳体、一第二壳体、一中隔板以及一腔体混合区，第二壳体组装于第一壳体，第一壳体用以导入气体，第二壳体用以流入液体，中隔板设置于第一壳体与第二壳体之间，腔体混合区邻接于中隔板，腔体混合区连通于液体幕帘出口，气体与液体于腔体混合区混合雾化后形成雾化液体流。

在本实用新型的一实施例中，上述之中隔板与第一壳体之间界定出一气体容置区，气体容置区连通于腔体混合区。

在本实用新型的一实施例中，上述之中隔板与第二壳体之间界定出一液体容置区，液体容置区连通于腔体混合区。

在本实用新型的一实施例中，上述的基板为一电路板、一玻璃或一半导体元件。

综上所述，在本实用新型的制程处理设备中，二流体雾化装置不同于现有技术的多组喷嘴，二流体雾化装置的液体幕帘出口为沿着一方向形成的孔洞，可提供均匀的雾化液体流，进一步可凭借移动二流体雾化装置来配合使用，而不会受限二流体雾化装置与基板位置的影响。

此外，二流体雾化装置气体由第一壳体的进气孔导入至气体容置区，液体由第二壳体的进水孔流入至液体容置区，接着气体由气体容置区导入至腔体混合区，液体由液体容置区流入至腔体混合区，使得气体与液体于腔体混合区混合雾化后形成一雾化液体流，并由液体幕帘出口喷洒出雾化液体流至基板，此方式可用于蚀刻(Etching)制程、显影(development)制程或去膜(stripping)制程等制程。

为让本实用新型能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为本实用新型制程处理设备的示意图。

图2为图1的二流体雾化装置的示意图。

图3为图1的二流体雾化水刀装置一视角的示意图。

图4为图1的二流体雾化水刀装置另一视角的示意图。

图5为第一壳体的示意图。

图6为第二壳体的示意图。

图7为中隔板的示意图。